发明名称 |
一种磁隧道结氧化铝隧穿层的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种磁隧道结隧穿层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:①先镀制所需隧穿层总厚度2/5的金属Al层;②镀制完成后,放入氧氩比为1∶2的混合气体中,将金属Al层氧化为Al2O3;③当步骤②氧化完成后,在生成的Al2O3薄膜上继续沉积所需隧穿层总厚度3/5的金属Al层;④当步骤③镀制完成后,同样在氧氩比为1∶2的混合气体中,将步骤③镀制的金属Al层氧化为Al2O。该制备方法能克服现有技术中所存在的缺陷,生成完全氧化的氧化铝隧穿层,提高TMR效应。 |
申请公布号 |
CN101833956A |
申请公布日期 |
2010.09.15 |
申请号 |
CN201010168591.5 |
申请日期 |
2010.05.11 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
荆玉兰;唐晓莉;张怀武;苏桦;钟智勇 |
分类号 |
G11B5/84(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/84(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种磁隧道结隧穿层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:①先镀制所需隧穿层总厚度2/5的金属Al层;②镀制完成后,放入氧氩比为1∶2的混合气体中,将金属Al层氧化为Al2O3;③当步骤②氧化完成后,在生成的Al2O3薄膜上继续沉积所需隧穿层总厚度3/5的金属Al层;④当步骤③镀制完成后,同样在氧氩比为1∶2的混合气体中,将步骤③镀制的金属Al层氧化为Al2O。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |