| 发明名称 |
SUBSTRAT ZUM ZÜCHTEN VON GALLIUMNITRID, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES SUBSTRATS ZUM ZÜCHTEN VON GALLIUMNITRID UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES GALLIUMNITRIDSUBSTRATS |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE60333559(D1) |
申请公布日期 |
2010.09.09 |
| 申请号 |
DE20036033559 |
申请日期 |
2003.01.23 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD. |
发明人 |
AKITA, KATSUSHI;OKAHISA, TAKUJI |
| 分类号 |
C30B29/38;H01L21/205;C30B25/02;C30B25/18;C30B29/40;H01L21/20 |
主分类号 |
C30B29/38 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
