半导体器件用的ESD保护结构

摘要

本发明涉及一种半导体元件用的ESD保护结构，其包括至少一个半导体二极管，该半导体二极管的p型和n型传导区在第一和第二接触点与半导体器件的要保护的元件的相同载流子类型的相应区域电接触。半导体二极管的一种载流子类型的第一区覆盖在半导体元件的半导体衬底中所配置的沟道的内表面的至少一些部分，并且其它载流子类型的第二区在所述沟道附近邻接第一区；第一区从多晶硅被配置，该多晶硅具有适当的传导掺杂；未被多晶硅填充的沟道区域由电介质填充。

主权项

半导体器件用的ESD保护结构，其包括至少一个半导体二极管，该半导体二极管的p型和n型传导区在第一和第二接触位置被电接触连接到半导体器件的要保护的结构部分的相同载流子类型的相应区域，其特征在于，半导体二极管的一种载流子类型的第一区(8)覆盖在半导体器件的半导体衬底(3)中所形成的沟道(9)的内部面的至少一些部分，并且形成其它载流子类型的第二区(13)，使得该第二区在所述沟道附近邻接第一区(8)，通过以相应n或p型传导方式掺杂的多晶硅形成第一区(8)，并且未被多晶硅填充的自由的沟道区域用电介质(10)填充。