快闪存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种快闪存储器及其制造方法。该方法包括提供半导体基板，其包括彼此平行地交替布置的第一有源区域和隔离区域、及使第一有源区域彼此连接的第二有源区域。在半导体基板上形成穿隧绝缘层、电荷储存层及隔离掩模。蚀刻隔离掩模、电荷储存层、穿隧绝缘层及半导体基板以在隔离区域上形成沟槽。在沟槽上形成隔离结构。在包括隔离结构的结构上依序形成介电层、导电层及硬掩模。图案化硬掩模、导电层、介电层及电荷储存层以形成交叉第一有源区域的漏极选择线、字元线及源极选择线。由离子注入工艺在第一有源区域上形成结区域。在相邻源极选择线间的第一及第二有源区域上形成公共源极。

主权项

一种快闪存储器，包括：第一沟槽，形成于有源区域之间的半导体基板上，其中该第一沟槽沿一方向形成；第二沟槽，形成于该有源区域上，其中该第二沟槽将该第一沟槽彼此连接；隔离结构，形成于该第一沟槽中；漏极选择线、字元线、及源极选择线，形成得使该漏极选择线、该字元线、及该源极选择线与该有源区域相交，其中在一条漏极选择线与一条源极选择线之间形成多条字元线；结区域，形成在漏极选择线与相邻字元线之间、相邻字元线之间、及源极选择线与相邻字元线之间的有源区域上；漏极，形成于相邻漏极选择线之间的有源区域上；以及公共源极，形成在相邻源极选择线之间形成的第一沟槽和第二沟槽的侧壁和底表面上，其中所述隔离结构不存在于所述第一沟槽的在相邻的源极选择线之间的部分中，且其中该第二沟槽位于相邻的源极选择线之间。