T型多晶硅栅电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种T型多晶硅栅电极的制备方法，包括：先在硅衬底上的栅氧化层上淀积第一层多晶硅；利用负性光刻胶和栅极掩膜版进行对准光刻；利用负性光刻胶图案为掩膜层，对第一多晶硅层进行注入掺杂；去除负性光刻胶，接着淀积第二层多晶硅；用正性光刻胶和上述栅极掩膜版进行对准光刻，后干法刻蚀第二层多晶硅和第一层多晶硅，形成T型多晶硅栅电极；去除多晶硅栅电极两边的栅氧化层。本发明的制备方法利用未掺杂的多晶硅和掺杂后的多晶硅在刻蚀时形貌存在差异的原理，简化可T型多晶硅栅电极制备中刻蚀的复杂程度，有利于工艺的再现和控制，适合于工业化生产具有T型多晶硅栅电极的半导体器件。

主权项

一种T型多晶硅栅电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1、先在硅衬底上的栅氧化层上淀积第一层多晶硅；2、利用负性光刻胶和栅极掩膜版进行对准光刻；3、利用步骤2中的负性光刻胶图案为掩膜层，对第一层多晶硅层进行注入掺杂；4、去除负性光刻胶，接着淀积第二层多晶硅；5、用正性光刻胶和步骤2中的栅极掩膜版进行对准光刻，后干法刻蚀第二层多晶硅和第一层多晶硅，形成T型多晶硅栅电极；6、去除多晶硅栅电极两边的栅氧化层。