一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的方法

摘要

本发明公开了一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的方法，对晶体硅太阳能电池基片进行以下步骤处理：使基片处于本底真空度环境，在B2H6与H2混合气体气氛中或者PH3与H2混合气体气氛中，使用激光分别进行高浓度深掺杂和低浓度浅掺杂，从而获得选择性发射极晶体硅太阳能电池。本发明将传统制备选择性发射极的复杂工艺大大减化，去掉了沉积磷浆、腐蚀、对晶体硅整体高温加热等工序，一方面节约了成本，使产业化制备选择性发射极成为可能，一方面也消除了这些工艺过程引入的额外杂质和造成的晶硅基片缺陷。

主权项

一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的方法，其特征在于，包括以下步骤：在工艺气体气氛中，使用激光分别对晶体硅太阳能电池基片表面进行高浓度深掺杂和低浓度浅掺杂从而形成选择性发射极；其中，工艺气体为B2H6与H2混合气体时，所述晶体硅太阳能电池基片为N型单晶硅太阳能电池基片；工艺气体为PH3与H2混合气体时，所述晶体硅太阳能电池基片为P型单晶硅太阳能电池基片。