| 发明名称 | 具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。 | ||
| 申请公布号 | CN101814502A | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN201010004777.7 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 权彦五;S·A·克里施南;安藤孝;M·P·胡齐克;M·M·弗兰克;W·K·汉森;R·杰哈;梁越;V·纳拉亚南;R·拉马钱德兰;K·K·H·黄 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：PFET区域，其包括：SiGe层，其设置在用于PFET的掺杂的衬底部分上，高k电介质层，其设置在所述SiGe层上，第一金属层，其设置在所述高k电介质层上，第一中间层，其设置在所述第一金属层上，第二金属层，其设置在所述第一中间层上，第二中间层，其设置在所述第二金属层上；以及第三金属层，其设置在所述第二中间层上；NFET区域，其包括：所述高k电介质层，其设置在用于NFET的掺杂的衬底部分上，所述第二中间层，其设置在所述高k电介质层上；以及所述第三金属层，其设置在所述第二中间层上。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||