一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置

摘要

本实用新型公开了一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置，所述装置包括：靶材，安装在增透膜层生长腔室的底部，并通过匹配箱与射频电源连接；样品托，安装在增透膜层生长腔室的顶部，所述样品托上设置有具有样品槽的内嵌式样品盘，所述样品槽外部设置有压片，所述压片中间设置有孔，孔的形状、大小与碲镉汞器件需要镀膜的区域一致，且所述压片上的孔与所述靶材上下对正。本实用新型通过上述装置对碲镉汞器件进行增透膜层生长，由于设置有压片，在需要保护的读出电路没有生长上增透膜层，保证了器件的电学连通，并且没有对探测器器件产生附加损伤，达到了良好的无损伤生长目的。

主权项

一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置，其特征在于，所述装置包括：靶材，安装在增透膜层生长腔室的底部，并通过匹配箱与射频电源连接；样品托，安装在增透膜层生长腔室的顶部，所述样品托上设置有具有样品槽的内嵌式样品盘，所述样品槽外部设置有压片，所述压片中间设置有孔，孔的形状、大小与碲镉汞器件需要镀膜的区域一致，且所述压片上的孔与所述靶材上下对正。