| 发明名称 | 具有按比例缩小的栅叠层厚度的金属栅极MOSFET器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有金属栅叠层的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件和用于改善其性能的技术。本发明涉及具有按比例缩小的栅叠层厚度的金属栅极MOSFET器件及其方法。在一个方面，提供了一种金属氧化物半导体器件，其包括：衬底，其具有隐埋的氧化物层，其至少一部分被配置来作为所述器件的主要背景氧吸气剂；以及，栅叠层，其通过界面氧化物层而与所述衬底分离。所述栅叠层包括：在所述界面氧化物层上的高K层；以及，在所述高K层上的金属栅极层。 | ||
| 申请公布号 | CN101425538B | 申请公布日期 | 2010.08.25 |
| 申请号 | CN200810149234.7 | 申请日期 | 2008.09.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 阿姆兰·玛尤姆达;雷尼·T·莫;任志斌;J·斯赖特 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种金属氧化物半导体器件，包括：衬底，具有隐埋的氧化物层，该隐埋的氧化物层的至少一部分被配置来作为所述器件的主要背景氧吸气剂，所述氧吸气剂吸引所存在的任何背景氧；栅叠层，通过界面氧化物层而与所述衬底分离，所述栅叠层包括：高K层，在所述界面氧化物层上；以及金属栅极层，在所述高K层上。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||