Einkristallines SiC-Substrat, einkristalliner epitaktischer SiC-Wafer und SiC-Halbleitervorrichtung

摘要

Eine Richtung einer Versetzungslinie einer Durchdringungsversetzung (3) wird ausgerichtet, wobei ein Winkel zwischen der Richtung der Versetzungslinie der Durchdringungsversetzung und einer c-Achse einer [0001]-Ausrichtung kleiner oder gleich 22,5° ist. Die Durchdringungsversetzung mit der Versetzungslinie verläuft zusammen mit der c-Achse der [0001]-Ausrichtung senkrecht zu einer Richtung einer Versetzungslinie einer Basisflächenversetzung. Folglich bildet die Versetzung keine ausgedehnte Verseicht erzeugt wird. Folglich wird dann, wenn eine elektrische Vorrichtung (4) in einem einkristallinen SiC-Substrat (1) mit der Richtung der Versetzungslinie der Durchdringungsversetzung gebildet wird, welche der c-Achse der [0001]-Ausrichtung entspricht, eine SiC-Halbleitervorrichtung derart bereitgestellt, dass die Verrichtungseigenschaften ohne Verschlechterung hervorragend sind und ein Fertigungsertrag verbessert wird.