| 发明名称 | 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于具有实用的成膜速度并且在低温下在衬底上形成薄膜。本发明提供一种半导体装置的制造方法以及衬底处理装置，所述半导体装置的制造方法包括以下工序：将衬底暴露于原料气体中的原料气体暴露工序；将衬底暴露于改性气体中的改性气体暴露工序，所述改性气体为具有不同电负性的原子的氧化气体或氮化气体中的任一种；和将衬底暴露于催化剂中的催化剂暴露工序，通过上述工序在衬底表面形成氧化膜或氮化膜，其中，催化剂暴露工序中使用酸解离常数pKa为5～7的催化剂(但是吡啶除外)。 | ||
| 申请公布号 | CN101807524A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN201010117810.7 | 申请日期 | 2010.02.12 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 水野谦和 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，所述方法通过进行以下工序在衬底表面形成氧化膜或氮化膜，所述工序为：将衬底暴露于原料气体中的原料气体暴露工序；将衬底暴露于改性气体中的改性气体暴露工序，所述改性气体为氧化气体或氮化气体中的任一种，具有电负性不同的原子；和将衬底暴露于催化剂中的催化剂暴露工序；其中，所述催化剂暴露工序中使用酸解离常数pKa为5～7的催化剂，但是吡啶除外。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||