发明名称 |
具有引入粗化层的高亮度铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法 |
摘要 |
一种具有引入粗化层的高亮度铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法,在常规铝镓铟磷基发光二极管的基础上,通过键合和衬底去除,将一粗化的n型铝镓铟磷基外延层引入并结合到原有发光二极管结构中,第一外延片就是常规铝镓铟磷基发光二极管,制作第二外延片提供可粗化外延层,为了使可粗化外延层结合到第一外延片的第一键合窗口层表面,在两者之间提供第二键合窗口层,并通过高温高压条件下直接键合方式,将第一键合窗口层和第二键合窗口层结合形成键合,本发明成功地将湿法粗化n型铝镓铟磷基外延层应用于常规铝镓铟磷基发光二极管,大幅度提升了取光效率;与倒装铝镓铟磷基发光二极管相比,本发明的制作工艺简单且不存在焊线坑洞问题。 |
申请公布号 |
CN101807649A |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
申请号 |
CN201010131565.5 |
申请日期 |
2010.03.19 |
申请人 |
厦门市三安光电科技有限公司 |
发明人 |
潘群峰;吴志强;洪灵愿;吴超瑜 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
厦门原创专利事务所 35101 |
代理人 |
徐东峰 |
主权项 |
具有引入粗化层的高亮度铝镓铟磷基发光二极管,其特征在于:一永久衬底,其具有两个主表面,即第一主表面和第二主表面;一缓冲层形成于永久衬底的第一主表面之上;一n型铝镓铟磷基外延层位于缓冲层之上;一有源层位于n型铝镓铟磷基外延层之上;一p型铝镓铟磷基外延层位于有源层之上;一第一键合窗口层位于p型铝镓铟磷基外延层之上,其材料为p型磷化镓;一第二键合窗口层位于第一键合窗口层的上,其材料为p型磷化镓;一粗化外延层位于第二键合窗口层的部分区域之上,其材料为n型铝镓铟磷或n型铝铟磷;一p电极位于第二键合窗口层的另一部分区域之上;一n电极位于永久衬底的第二主表面之上。 |
地址 |
361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 |