发明名称 |
半导体集成电路 |
摘要 |
本发明提供一种半导体集成电路,采用可实现高制造成品率的有源模式下的偏压技术,并减少在有源模式下的信号处理的动作功耗和信号延迟量的变动。用与CMOS电路(STC1)、(STC2)、(STC3)的PMOS、NMOS相同的制造工艺制造附加电容电路(CC1)的附加PMOS(Qp4)、附加NMOS(Qn4)。在电源布线(Vdd_M)与N阱(N_Well)之间连接附加PMOS(Qp4)的栅极电容,在接地布线(Vss_M)与P阱(P_Well)之间连接附加NMOS(Qn4)的栅极电容。电源布线(Vdd_M)的噪声通过栅极电容(Cqp04)而传递到N阱(N_Well),接地布线(Vss_M)的噪声通过栅极电容(Cqn04)而传递到P阱(P_Well)。能够降低CMOS电路(STC1)、(STC2)、(STC3)的PMOS、NMOS的源极阱之间的衬底偏压的噪声变动。 |
申请公布号 |
CN101232020B |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
申请号 |
CN200710186823.8 |
申请日期 |
2007.11.22 |
申请人 |
株式会社瑞萨科技 |
发明人 |
长田健一;山冈雅直;小松成亘 |
分类号 |
H01L27/092(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/092(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
季向冈 |
主权项 |
一种半导体集成电路,包括处理输入信号的CMOS电路、和用与上述CMOS电路相同的制造工艺制造出的附加电容电路,上述CMOS电路包括具有N阱的PMOS和具有P阱的NMOS,上述附加电容电路包括具有N阱的附加PMOS和具有P阱的附加NMOS,上述CMOS电路的上述PMOS的源极和上述附加电容电路的上述附加PMOS的源极电连接在第一工作电压布线上,上述CMOS电路的上述NMOS的源极和上述附加电容电路的上述附加NMOS的源极电连接在第二工作电压布线上,对上述N阱可供给PMOS衬底偏压,对上述P阱可供给NMOS衬底偏压,上述附加电容电路的上述附加PMOS的栅电极电连接在上述N阱上,上述附加电容电路的上述附加NMOS的栅电极电连接在上述P阱上,在上述第一工作电压布线与上述N阱之间,至少并联连接有位于上述附加电容电路的上述附加PMOS的上述源极与上述栅电极之间的源极栅极重叠电容、和位于上述附加电容电路的上述附加PMOS的上述源极与上述N阱之间的源极·阱耦合电容,在上述第二工作电压布线与上述P阱之间至少并联连接有位于上述附加电容电路的上述附加NMOS的上述源极与上述栅电极之间的源极栅极重叠电容、和位于上述附加电容电路的上述附加NMOS的上述源极与上述P阱之间的源极·阱耦合电容。 |
地址 |
日本东京都 |