| 发明名称 | 一种调节金属硅化物源/漏肖特基势垒高度的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种调节金属硅化物源/漏肖特基势垒高度的方法，该方法包括：步骤1：采用两步镍-自对准硅化物工艺形成一硅化镍膜；步骤2：对该硅化镍膜进行低能高剂量杂质注入；步骤3：对该硅化镍膜进行快速热退火。本发明提供的肖特基势垒高度的调节方法，可利用现有的设备，具有工艺简单、易行和成本低等优点，易于集成，实现了与CMOS工艺的良好兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN101807526A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200910077723.0 | 申请日期 | 2009.02.13 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尚海平;徐秋霞 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种调节金属硅化物源/漏肖特基势垒高度的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：采用两步镍-自对准硅化物工艺形成一硅化镍膜；步骤2：对该硅化镍膜进行低能高剂量杂质注入；步骤3：对该硅化镍膜进行快速热退火。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||