发明名称 整平剂化合物;LEVELER COMPOUNDS
摘要 本发明系提供用于金属电镀浴中之整平剂(leveling agent)。该含有此等整平剂之电镀浴提供具有相当平整表面之金属沈积。该等整平剂可经选择以将所欲之杂质浓度选择性地加入至金属沈积中。
申请公布号 TWI328622 申请公布日期 2010.08.11
申请号 TW095132843 申请日期 2006.09.06
申请人 罗门哈斯电子材料有限公司 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS, L.L.C. 美国 发明人 王大洋;米可拉 罗伯特D;巴克雷 乔治G
分类号 主分类号
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 1.一种包括金属离子源、电解质以及聚合物整平剂之组成物,其中该整平剂包含1至70 wt%的烯属不饱和交联剂、5至80 wt%的烯属不饱和含氮杂环单体以及5至80 wt%的(甲基)丙烯酸酯单体作为聚合单元。 ;2.如申请专利范围第1项之组成物,其中该金属为铜。 ;3.如申请专利范围第1项之组成物,其中该烯属不饱和含氮杂环单体为芳香族。 ;4.一种于基材上沈积金属之方法,其包括下列步骤:使基材与申请专利范围第1项的组成物接触;以及施加一电流密度达一段时间以在该基材上沈积金属层。 ;5.如申请专利范围第4项之方法,其中该基材为电子装置。 ;6.一种包括铜离子源、电解质以及整平剂的组成物,其中该整平剂包含1至70 wt%的烯属不饱和交联剂、5至80 wt%的烯属不饱和含氮杂环单体以及5至80 wt%的(甲基)丙烯酸酯单体作为聚合单元,且其中该整平剂能在基材之<130nm的孔洞中提供第一铜沈积以及在>130nm的孔洞中提供第二铜沈积,其中该第一铜沈积具有<20ppm之总杂质,而该于第二铜沈积具有>50ppm之总杂质。 ;7.一种于基材上沈积铜之方法,此方法包括下列步骤:使具有<130nm之孔洞以及>130nm之孔洞的基材与电镀浴接触,该电镀浴包括铜离子源、电解质以及整平剂,其中该整平剂包含1至70 wt%的烯属不饱和交联剂、5至80 wt%的烯属不饱和含氮杂环单体以及5至80 wt%的(甲基)丙烯酸酯单体作为聚合单元;以及使用直流电施加一电位至基材以沈积所欲厚度之铜层,其中在<130nm的孔洞中所沈积之铜具有<20ppm之总杂质,而在>130nm的孔洞中所沈积之铜具有>50ppm之总杂质。
地址 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS, L.L.C. 美国