光刻胶的去除方法

摘要

本发明的光刻胶去除方法采用部分灰化(partial ashing)加湿法清洗的方法，即先采用等离子灰化工艺去除离子注入过程中在光刻胶表面形成的硬质表层，再使用SOM清洗剂清洗光刻胶，能够完全去除光刻胶，并且能够有效防止衬底表面的硅大量流失，避免严重凹陷的出现，从而保证了CMOS器件的性能。

主权项

一种光刻胶的去除方法，所述光刻胶表面具有硬质表层，其特征在于所述方法包括下列步骤：利用等离子体去除所述硬质表层；所述硬质表层在掺杂杂质离子注入过¨‹中形成；湿法去除所述光刻胶。