具有双栅FINFETS的存储器及制造方法

摘要

描述了一种在SOI基片上制造的DRAM，所述DRAM使用单一主体器件作为存储单元，不依赖于通过SOI的绝缘层的场。通过以下方法来限定浮体器件：以与形成在绝缘层上的每一个主体的前栅和背栅两者正交的方式设置各线条。硅线条(10)包括相反导电类型的被主体区(12)隔开的源极(13)和漏极(11)。导电线条延伸在垂直于硅线条(10)的方向上并包括通过相应的隔离层(16，17)与主体区(12)隔开的背栅(15)和前栅(14)。这样，所述DRAM包括双栅FinFETs。

主权项

一种存储器，包括：多条平行的、彼此隔开的、设置在氧化层上的硅线条；多条平行的、彼此隔开的、以垂直于所述硅线条的方式设置在所述氧化层上的导电线条，在所述硅线条的交点处所述导电线条是不连续的，每一个交点在所述硅线条中形成主体区，并且在所述主体区的相对的两侧由所述导电线条形成第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极与所述主体区绝缘；以及所述第一栅极连接到所述存储器中的字线，而所述第二栅极连接成偏置所述主体区；其中所述各导电线条中相邻的两个导电线条中的第二栅极在第一叠加金属层中通过桥而连接在一起，以及其中多个这样的桥在第二叠加金属层中通过偏置线条而连接在一起，所述偏置线条垂直于所述多个这样的桥的每一个。