发明名称 | 高电化学容量氧化石墨烯及其低温制备方法和应用 | ||
摘要 | 本发明公开了一种高电化学容量氧化石墨烯及其低温制备方法和应用。所述的氧化石墨烯,该氧化石墨烯片层厚度为0.35~20nm,比表面积为200~800m2/g,电化学比容量达到50~220F/g。其制备方法将氧化石墨在高真空下以一定升温速率升温至150~600℃,维持恒温0.5~20h,得到氧化石墨烯。该材料用于超级电容器电极材料。本发明具有如下优点:制备过程简单,制备温度低,且易于操作,能量消耗低。 | ||
申请公布号 | CN101367516B | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
申请号 | CN200810151807.X | 申请日期 | 2008.09.26 |
申请人 | 天津大学 | 发明人 | 杨全红;吕伟;孙辉 |
分类号 | C01B31/02(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I |
代理机构 | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人 | 赵敬 |
主权项 | 一种高电化学容量氧化石墨烯的制备方法,所述的氧化石墨烯片层厚度为0.35~20nm,比表面积为200~800m2/g,电化学比容量达到50~220F/g,其特征在于包括以下过程:在真空度0.01Pa~10kPa下,将氧化石墨以5~50℃/min的升温速率升温到150~600℃进行高真空热处理,维持恒温0.5~20h,氧化石墨体积迅速膨胀,得到氧化石墨烯材料。 | ||
地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 |