高电流半导体功率器件小外形集成电路封装

摘要

本发明公开了一种高电流半导体功率小外形集成电路封装。该封装包括由具有大于8mil厚度的单规格材料形成的相对厚的引线框，所述引线框具有多个引线和第一引线框区，该第一引线框区包括焊接到其上的芯片；一对设置在与芯片顶表面同一平面上的引线键合区域；将芯片连接到多个引线上的铝制大直径键合导线；和密封芯片，键合导线和引线框的至少一部分的树脂体。

主权项

一种高电流半导体功率小外形集成电路封装，其特征在于，该封装包括：由具有大于8密尔mil厚度的单规格材料形成的相对厚的引线框，该引线框具有多个引线和第一引线框区，该第一引线框区包括焊接到其上的芯片；一对设置在与芯片顶表面同一平面上的引线键合区域；将芯片连接到多个引线上的铝制键合导线；和密封芯片，键合导线和引线框的至少一部分的树脂体；所述的高电流半导体功率小外形集成电路封装还包括向外延伸的漏极、源极和栅极引线；所述的键合区域包括源极键合区域，所述的源极键合区域延伸经熔融的源极引线的全长；所述的源极引线延伸树脂外，其外面部分进一步包括侧向延伸部分以及第一和第二部分，该第一和第二部分以互相相隔的关系从侧向延伸部分垂直延伸。