基于纳米线的光电子器件

摘要

本发明公开了包括纳米线层、光电探测器和半导体光放大器的基于纳米线的光电子器件(100，200，300，400，500)。该器件包括生长自单晶和/或非单晶表面的纳米线(114，214，324，434，436，560，562)。半导体光放大器包括充当镇流激光器以放大信号波导所携载信号的纳米线阵列，。纳米线激光器和光电探测器的实施例包括能够提供不同偏振的水平和竖直纳米线(434，436，562，560)。

主权项

一种基于纳米线的光电子器件(200)，包括：至少一个由单晶或非单晶材料制成的第一表面(210)；至少一个由单晶或非单晶材料制成的第二表面(212)，每个第二表面电隔离于相应的第一表面；以及至少一根第一纳米线(214)，其以桥接构型连接至少一个第一表面对，所述第一表面对包括相对的第一和第二表面，其中，所述第一纳米线生长自所述第一表面对的第一和第二表面，并且在所述第一和第二表面之间互连。