| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件具有：衬底；形成在衬底上方的AlN层；形成在AlN层上方并且在电子亲和力方面大于AlN层的AlGaN层；形成在该AlGaN层上方并且在电子亲和力方面小于该AlGaN层的另一个AlGaN层。此外，还提供了形成在后一个AlGaN层上方的i-GaN层以及形成在i-GaN层上方的i-AlGaN层和n-AlGaN层。 | ||
| 申请公布号 | CN101794815A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN201010111011.9 | 申请日期 | 2010.02.02 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 吉川俊英;今西健治 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郑小军;陈昌柏 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：衬底；第一缓冲层，形成在所述衬底上方；第二缓冲层，形成在所述第一缓冲层上方，并且在电子亲和力方面大于所述第一缓冲层；第三缓冲层，形成在所述第二缓冲层上方，并且在电子亲和力方面小于所述第二缓冲层；沟道层，形成在所述第三缓冲层上方；以及电子供应层，形成在所述沟道层上方。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||