氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件的制造方法

摘要

本发明公开一种氮化物半导体发光元件以及该氮化物半导体发光元件的制造方法，是在光出射部上依次形成涂层膜和反射率调整膜的半导体发光元件，其中，光出射部由氮氧化物半导体构成，涂层膜由铝的氧化物膜或铝的氮化物膜构成，反射率调整膜由氧化物膜构成。

主权项

一种氮化物半导体发光元件，包括在氮化物半导体的光出射部上形成的涂层膜，其特征在于，所述涂层膜由铝的氮化物膜或铝的氮氧化物膜构成，所述涂层膜中的氧的含有量位于0原子％以上且35原子％以下的范围，并且所述氧的含有量在厚度方向不同。