半导体元件及互补式金氧半场效电晶体;SEMICONDUCTOR DEVICE AND COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR

摘要

一种半导体元件，包括第一传导类型的基底、磊晶层、第一下沈层、第一埋入层以及第二传导类型的磊晶层、第二下沈层、第二埋入层。两磊晶层依序配置于基底上。第一下沈层及第一埋入层将两磊晶层分隔出第一区域。第二下沈层及第二埋入层将第一区域的上磊晶层分隔出第二区域。主动元件配置于第二区域内。第一埋入层配置于第一区域及基底之间，且连接第一下沈层。第二埋入层配置于第二区域及下磊晶层之间，且连接第二下沈层。因为上述的设置，所以能够避免闩锁现象。

主权项

1.一种半导体元件，包括：一基底，具有第一传导类型(conductivity type)；一第一磊晶层，具有第一传导类型，该第一磊晶层配置于该基底上；一第二磊晶层，具有第二传导类型，该第二磊晶层配置于该第一磊晶层上；一第一下沈层(sinker)，具有第一传导类型，该第一下沈层配置于该第一磊晶层中及第二磊晶层中，且自该基底延伸至该第二磊晶层上表面，该第一下沈层将该第一磊晶层及第二磊晶层分隔出一第一区域；一第二下沈层，具有第二传导类型，该第二下沈层配置于该第二磊晶层中，且自该第一磊晶层延伸至该第二磊晶层上表面，该第二下沈层将该第一区域的该第二磊晶层分隔出一第二区域；一主动元件，配置于该第二区域内；一第一埋入层(buried layer)，具有第一传导类型，该第一埋入层配置于该第一区域内的该第一磊晶层及该基底之间，且连接该第一下沈层；以及一第二埋入层，具有第二传导类型，该第二埋入层配置于该第二区域内的该第二磊晶层及该第一磊晶层之间，且连接该第二下沈层，其中该第一埋入层与该第二埋入层互不接触。 ;2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该第一埋入层的掺质浓度大于该基底的掺质浓度。 ;3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该第二埋入层的掺质浓度大于该第二磊晶层的掺质浓度。 ;4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该主动元件为高压金氧半场效电晶体(high voltage metal oxide semiconductor，HVMOS)。 ;5.如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该第一传导类型是P型，且第二传导类型是N型。 ;6.如申请专利范围第1项所述之半导体元件，其中该第一传导类型是N型，且第二传导类型是P型。 ;7.一种互补式金氧半场效电晶体，包括：一基底，具有第一传导类型；一第一磊晶层，具有第一传导类型，该第一磊晶层配置于该基底上；一第二磊晶层，具有第二传导类型，该第二磊晶层配置于该第一磊晶层上；一第一下沈层，具有第一传导类型，该第一下沈层配置于该第一磊晶层中及该第二磊晶层中，且自该基底延伸至该第二磊晶层上表面，该第一下沈层将该第一磊晶层及该第二磊晶层分隔出一第一区域；一第二下沈层，具有第二传导类型，该第二下沈层配置于该第二磊晶层中，且自该第一磊晶层延伸至该第二磊晶层上表面，该第二下沈层将该第一区域的该第二磊晶层分隔出一第二区域；一第三下沈层，具有第一传导类型，该第三下沈层配置于该第一区域以外的该第一磊晶层中及该第二磊晶层中，且自该基底延伸至该第二磊晶层上表面，该第三下沈层将该第一磊晶层及该第二磊晶层分隔出一第三区域；一第四下沈层，具有第二传导类型，该第四下沈层配置于该第二磊晶层中，且自该第一磊晶层延伸至该第二磊晶层上表面，该第四下沈层将该第三区域的该第二磊晶层分隔出一第四区域；一井区，具有第一传导类型，该井区配置于该第二区域内；一第一电晶体，配置于该井区内；一第二电晶体，配置于该第四区域内；一第一埋入层，具有第一传导类型，该第一埋入层配置于该第一区域内的该第一磊晶层及该基底之间，且连接该第一下沈层；一第二埋入层，具有第二传导类型，该第二埋入层配置于该第二区域内的该第二磊晶层及该第一磊晶层之间，且连接该第二下沈层，其中该第一埋入层与该第二埋入层互不接触；一第三埋入层，具有第一传导类型，该第三埋入层配置于该第三区域内的该第一磊晶层及该基底之间，且连接该第三下沈层；以及一第四埋入层，具有第二传导类型，该第四埋入层配置于该第四区域内的该第二磊晶层及该第一磊晶层之间，且连接该第四下沈层，其中该第三埋入层与该第四埋入层互不接触。 ;8.如申请专利范围第7项所述之互补式金氧半场效电晶体，其中该第一埋入层及该第三埋入层的掺质浓度大于该基底的掺质浓度。 ;9.如申请专利范围第7项所述之半导体元件，其中该第二埋入层及该第四埋入层的掺质浓度大于该第二磊晶层的掺质浓度。 ;10.如申请专利范围第7项所述之互补式金氧半场效电晶体，其中该第一电晶体及该第二电晶体为高压金氧半场效电晶体。 ;11.如申请专利范围第7项所述之互补式金氧半场效电晶体，其中该第一传导类型是P型，且第二传导类型是N型。 ;12.如申请专利范围第7项所述之互补式金氧半场效电晶体，其中该第一传导类型是N型，且第二传导类型是P型。;图1是习知的一种高压元件的剖面示意图。;图2是本发明第一实施例的一种半导体元件的剖面示意图。;图3是本发明第二实施例的一种互补式金氧半场效电晶体的剖面示意图。