| 发明名称 | 一种中子吸收球的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及中子吸收球的制备方法，包括下述步骤：将炭素原料和中子吸收材料混合得到的粉料加入到PVA与PEG的混合水溶液中进行搅拌，混捏过程中加入硼酸，制成糊料；经过预压、挤出成型、炭化、切割、磨加工、高温处理和表面包覆处理制得所述中子吸收球。本发明用PVA作粘结剂，对环境友好，价格低廉。本挤出成型工艺效率高，设备投入低，能够满足大规模工业生产。 | ||
| 申请公布号 | CN101789272A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN201010101755.2 | 申请日期 | 2010.01.26 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 林旭平;马景陶;陈凤;黄志勇;邓长生;谭威 |
| 分类号 | G21C7/24(2006.01)I;G21C7/10(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | G21C7/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王朋飞 |
| 主权项 | 一种中子吸收球的制备方法，包括下述步骤：将炭素原料和中子吸收材料混合得到的粉料加入到PVA与PEG的混合水溶液中进行搅拌，混捏过程中加入硼酸，制成糊料；然后经过预压、挤出成型、炭化、切割、磨加工、高温处理和表面包覆处理。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱 | ||