用于制作效率稳定的光电单元的方法

摘要

提出一种用于制造效率稳定的光电单元的方法。该方法包括以下步骤：制备掺杂硼的含氧硅衬底；在硅衬底的表面上形成发射极层；以及稳定处理步骤。该稳定处理步骤包括：在处理时间过程中将衬底的温度保持在具有50℃、优选为90℃、更优选为130℃并且进而更优选为160℃的温度下限和230℃、优选为210℃、更优选为190℃并且进而更优选为180℃的温度上限的可选温度范围内；以及例如通过照明衬底或通过施加外部电压在处理时间过程中在硅衬底中生成过量少数电荷载流子。这一方法也可以用来制造具有以下效率的光电单元如太阳能电池或太阳能模块，该效率稳定于比没有使用稳定处理步骤而制造的光电单元的效率值更高的值。

主权项

一种用于制造效率稳定的光电单元的方法，包括以下步骤：提供掺杂硼的含氧硅衬底；在所述硅衬底的表面上形成发射极层；在所述硅衬底上形成电接触；其特征在于所述方法还包括稳定处理步骤，所述稳定处理步骤包括：在处理时间过程中将所述衬底的温度保持在具有50℃的温度下限和230℃的温度上限的可选温度范围内；以及在所述处理时间过程中在所述硅衬底中生成过量少数电荷载流子；其中所述生成过量少数载流子的步骤包括向所述接触施加外部电压；其中所述衬底保持于所述可选温度范围内的以分钟为单位的所述处理时间t通过下式给出： t ≥ a ( y + b ) c * exp ( x ( T + 273 ) ) 其中T是在所述处理时间过程中以℃为单位的所述可选温度范围的平均温度，y是以A/cm2为单位的由所述施加的电压带来的经过所述光电单元的电流密度，且a＝4.247×10-14、b＝0.00286、c＝0.887和x＝12550。