| 发明名称 |
Programmable resistance memory |
| 摘要 |
A memory includes a programmable resistance array with high ratio of dynamic range to drift coefficient phase change memory devices.
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| 申请公布号 |
US2010182825(A1) |
申请公布日期 |
2010.07.22 |
| 申请号 |
US20090321223 |
申请日期 |
2009.01.20 |
| 申请人 |
OVONYX, INC. |
发明人 |
LOWREY TYLER;SCHELL CARL;CZUBATYJ WALLY;HUDGENS STEVE;MAIMON JON;FOURNIER JEFF;HENNESSEY MIKE;SPALL ED |
| 分类号 |
G11C11/00;G11C11/416;H01L21/00 |
主分类号 |
G11C11/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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