| 主权项 |
1.一种发射光线有机二极体装置,其具有至少一个发射光线有机二极体位于彼此连接两块板之间,该连接藉由雷射加热玻璃料所形成密闭性密封,其将促使玻璃料熔融以及形成密闭性密封,同时避免至少一个发射光线有机二极体受热劣化,其中玻璃料为掺杂至少一种过渡金属以及降低热膨胀系数之填充料的玻璃,降低热膨胀系数之填充料的热膨胀系数为等于或小于两块板的热膨胀系数。 ;2.依据申请专利范围第1项之发射光线有机二极体装置,其中当与玻璃料由雷射吸收热能比较时,第一及第二玻璃板两者将由雷射吸收较少热能。 ;3.依据申请专利范围第1项之发射光线有机二极体装置,其中填充料为负值热膨胀系数填充料或添加性填充料。 ;4.依据申请专利范围第1项之发射光线有机二极体装置,其中发射光线有机二极体装置为显示器。 ;5.一种发射光线有机二极体显示器,其包含：第一基板；至少一个有机发光二极体；第二基板；玻璃料,其由掺杂至少一种过渡金属以及降低热膨胀系数之填充料的玻璃制造出,降低热膨胀系数之填充料的热膨胀系数为等于或小于第一及第二基板的热膨胀系数,其中玻璃料藉由雷射加热,其将使玻璃料软化以及形成密闭性密封,该密封将第一基板连接至第二基板以及亦保护位于第一基板连接至第二基板间之至少一个发射光线有机二极体装置。 ;6.依据申请专利范围第5项之发射光线有机二极体显示器,其中当与玻璃料由雷射吸收热能比较时,第一及第二基板两者将由雷射吸收较少热能。 ;7.依据申请专利范围第5项之发射光线有机二极体显示器,其中填充料为负值热膨胀系数填充料或添加性填充料,其包含锂矾土矽酸盐化合物例如为β锂霞石。 ;8.依据申请专利范围第5项之发射光线有机二极体显示器,其中玻璃料为含有一种或多种吸收性离子之低温玻璃料,该离子由铁,铜,钒,及钕选取出。 ;9.依据申请专利范围第5项之发射光线有机二极体显示器,其中排除降低热膨胀系数填充料之玻璃料以莫耳百分比表示具有下列组成份：0-10% K2 O,0-20% Fe2 O3,0-40% Sb2 O3,20-40% P2 O5,30-60% V2 O5,0-20% TiO2,0-5% Al2 O3,0-5% B2 O3,0-5% WO3,0-5% Bi2 O3。 ;10.依据申请专利范围第5项之发射光线有机二极体显示器,其中玻璃料由钛-钒玻璃,锌钒玻璃,Sn-Zn-磷酸盐玻璃,混合硷金属锌磷酸盐玻璃,钒磷酸盐玻璃,Pb-硼酸盐玻璃,以及具有钒及铅混合硷金属属锌磷酸盐玻璃种类选取出。 ;11.一种制造发射光线有机二极体装置之方法,该方法包含下列步骤：提供第一基板；提供第二基板；沉积玻璃料于一个基板上,该玻璃料由掺杂至少一种过渡金属以及降低热膨胀系数之填充料的玻璃制造出,降低热膨胀系数之填充料的热膨胀系数为等于或小于第一及第二基板的热膨胀系数,以及沉积至少一个发射光线有机二极体于一个基板上；以及加热以及再冷却玻璃料,其将促使玻璃料软化以及形成密闭性密封,该密封将第一基板连接至第二基板以及亦保护至少一个发射光线有机二极体。 ;12.依据申请专利范围第11项之方法,其中更进一步包含下列步骤：放置黏接剂于第一及第二基板外侧边缘间之间隙内,其中间隙由存在密闭性密封而形成。 ;13.依据申请专利范围第11项之方法,其中更进一步包含下列步骤：在加热前预先烧结玻璃料至第二基板。 ;14.依据申请专利范围第11项之方法,其中加热步骤在预先决定温度下进行,其将促使玻璃料熔融以及形成密闭性密封,同时避免对至少一个发射光线有机二极体损坏。 ;15.依据申请专利范围第11项之方法,其中加热步骤更进一步包含使用雷射以发射出加热该玻璃料之雷射光束。 ;16.依据申请专利范围第15项之方法,其中玻璃料在红外线区域内具有提升吸收特性以及该雷射光束具有红外线区域之波长,使得当雷射光束与该玻璃料交互作用时与每一第一及第二基板所吸收热量相比较时,该玻璃料将由雷射光束吸收更多热量。 ;17.依据申请专利范围第11项之方法,其中加热步骤更进一步包含使用红外线灯泡以发射出加热该玻璃料之光线。 ;18.依据申请专利范围第17项之方法,其中玻璃料在红外线区域内具有提升吸收特性以及该光线具有红外线区域之波长,使得当雷射光束与该玻璃料交互作用时与每一第一及第二基板所吸收热量相比较时,该玻璃料将由雷射光束吸收更多热量。 ;19.依据申请专利范围第11项之方法,其中玻璃料具有软化点温度低于第一及第二基板之软化点温度。 ;20.依据申请专利范围第11项之方法,其中玻璃料之热膨胀系数与第一及第二基板之热膨胀系数相匹配。 ;21.依据申请专利范围第11项之方法,其中填充料为负值热膨胀系数填充料或添加性填充料。 ;22.依据申请专利范围第11项之方法,其中玻璃料为含有一种或多种吸收性离子之低温玻璃料,该离子由铁,铜,钒,及钕选取出。 ;23.依据申请专利范围第11项之方法,其中排除降低热膨胀系数填充料之玻璃料以莫耳百分比表示具有下列组成份：0-10% K2 O,0-20% Fe2 O3,0-40% Sb2 O3,20-40% P2 O5,30-60% V2 O5,0-20% TiO2,0-5% Al2 O3,0-5% B2 O3,0-5% WO3,0-5% Bi2 O3。 ;24.依据申请专利范围第11项之方法,其中玻璃料由钛-钒玻璃,锌钒玻璃,Sn-Zn-磷酸盐玻璃,混合硷金属锌磷酸盐玻璃,钒磷酸盐玻璃,Pb-硼酸盐玻璃,以及具有钒及铅混合硷金属属锌磷酸盐玻璃种类选取出。 ;25.依据申请专利范围第1项之发射光线有机二极体装置,其中玻璃料平均颗粒尺寸在5微米至10微米之间。 ;26.依据申请专利范围第25项之发射光线有机二极体装置,其中在加热过程中离密封边缘1mm之装置最高温度为≦100℃。 ;27.依据申请专利范围第1项之发射光线有机二极体装置,其中在加热过程中离密封边缘1mm之装置最高温度为≦100℃。 ;28.依据申请专利范围第27项之发射光线有机二极体装置,其中玻璃料平均颗粒尺寸在5微米至10微米之间。 ;29.依据申请专利范围第11项之方法,其中玻璃料平均颗粒尺寸在5微米至10微米之间。 ;30.依据申请专利范围第29项之方法,其中在加热过程中离密封边缘1mm之装置最高温度为≦100℃。 ;31.依据申请专利范围第11项之方法,其中在加热过程中离密封边缘1mm之装置最高温度为≦100℃。 ;32.依据申请专利范围第31项之方法,其中玻璃料平均颗粒尺寸在5微米至10微米之间。;第一图A及B为顶视图及断面图，其显示出本发明OLED显示器密闭性密封；第二图为流程图，其显示出制造第一图A及B中所示密闭性密封OLED显示器之方法。;第三图A为透射图，其显示出试验1中由雷射密闭性密封之两个基板。;第三图B-F为掺杂不同过渡金属范例性之玻璃吸收频谱。;第三图G为具有由铁钒磷酸盐玻璃料所形成密封之两块玻璃板的顶视相片图，该玻璃料在试验1中藉由雷射加以熔融及雷射平移速度为0.2mm/s至5mm/s由左至右移动。;第三图H为具有由钛钒磷酸盐玻璃料所形成密封之两块玻璃板的顶视相片图，该玻璃料在试验1中藉由雷射加以熔融及雷射平移速度为0.2mm/s至5mm/s由左至右移动。;第四图A及B为试验2中所使用范例性钒铁磷酸盐玻璃料(图4A)及Corning 1737玻璃基板(图4B)之透射曲线图。;第四图C为试验2中所制造无裂缝密封玻璃板之侧视相片图。;第五图A显示出试验3中雷射及分裂光束光学元件排列，其使用来加热玻璃板两侧。;第五图B为试验3中预制件玻璃料之顶视图，该玻璃料放置距离玻璃板边缘一小段距离。;第五图C显示试验3中制造出无裂缝玻璃板之相片图。;第六图A为当利用红外线灯泡使用说明于试验4中5801掺杂玻璃料来密封Corning 1737 1" x1"玻璃板组件四边时为时间函数之温度曲线图。;第六图B显示出利用试验4中所说明以红外线灯泡加热并使用5817掺杂玻璃料密封1" x1"编号1737玻璃板组件之断面相片图。;第六图C为试验4中所说明使用5913混合玻璃料利用雷射加热密封之编号1737玻璃板无裂缝组件的相片图。;第七图A为使用说明于试验5中钛钒磷酸盐玻璃料(20TiO2-P2 O5-50V2 O5，莫耳比为基准)之接近红外线透射曲线图。;第七图B为曲线图，其显示出于试验5中以5895混合玻璃料涂覆于编号1737玻璃板中接合密封之膨胀不相匹配数据，其为温度之函数。 |
