半导体元件及其制法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制法。半导体基材具有一硅通孔，此硅通孔具有气隙介于硅通孔与半导体基材之间。形成一开口且此开口部分地穿过半导体基材。开口于其内侧形成第一衬层且被导电材料所填充。半导体基材的背侧被薄化以露出第一衬层，其随后被移除并被具有低介电常数或超低介电常数材料的第二介电层取代。本发明使用一低介电常数衬层或超低介电常数衬层，而不需担心其他工艺中对低介电常数材料造成的伤害。

主权项

一种半导体元件，包括：一具有一电路侧与一相对于该电路侧的背侧的半导体基材；一硅通孔延伸穿过该半导体基材；以及一第一介电层设置于该硅通孔与该半导体基材之间，其中该第一介电层延伸至该半导体基材的背侧表面的至少一部分上。