发明名称 | 鳍状晶体管的制造方法 | ||
摘要 | 一种制造鳍状晶体管的方法,包括:利用隔离掩模,使提供在衬底上方的第一垫层图案化;利用所述隔离掩模和所述第一垫层,蚀刻所述衬底以形成沟槽;使用绝缘材料填充所述沟槽,以形成隔离结构;使用具有绝缘材料比第一垫层的高选择比的气体,蚀刻在沟槽中的隔离结构,以形成鳍状结构;在所述鳍状结构上方,形成栅极绝缘层;和在所述栅极绝缘层上方,形成导电层。 | ||
申请公布号 | CN101154597B | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
申请号 | CN200710105291.0 | 申请日期 | 2007.05.31 |
申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金光玉 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
主权项 | 一种制造鳍状晶体管的方法,该方法包括:在具有有源区主轴的衬底上形成包括第一垫层和第二垫层的垫层;利用隔离掩模,使提供在所述第一垫层上方的第二垫层图案化;利用所述隔离掩模和所述第二垫层,蚀刻所述衬底以形成沟槽;使用绝缘材料填充所述沟槽,以形成隔离结构;在包括所述隔离结构的所得结构上形成限定开口的多个掩模,所述开口暴露出部分所述有源区和所述隔离结构;使用所述多个掩模作为蚀刻掩模并使用具有绝缘材料对第二垫层的高选择比的气体,蚀刻在所述沟槽中的隔离结构,以形成鳍状结构并使得所述绝缘材料沿所述有源区的主轴方向保留在所述沟槽的侧壁上;在所述鳍状结构上方,形成栅极绝缘层;和在所述栅极绝缘层上方,形成导电层。 | ||
地址 | 韩国京畿道利川市 |