| 发明名称 | 注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种向集成电路注入杂质离子的方法。所述方法包括：在衬底中形成第一像素和第二像素；在所述衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层以在所述第一像素和所述第二像素之间包括开口；以及通过所述开口注入多种杂质以形成隔离特征。 | ||
| 申请公布号 | CN101783316A | 申请公布日期 | 2010.07.21 |
| 申请号 | CN200910143855.9 | 申请日期 | 2009.05.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林政贤;杨敦年;刘人诚;庄俊杰;陈保同;王文德;洪志明 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/761(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永;马铁良 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述衬底上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成硬掩膜层；图形化所述硬掩膜层以包括开口；以及通过所述开口向所述衬底中注入多种杂质。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||