一种硅基正向注入发光器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种硅基正向注入发光器件及其制作方法，该器件包括：P型硅衬底；嵌入于该P型硅衬底中的N阱；由N+重掺杂有源区与P+重掺杂有源区交替构成的U形梳状结构，该U形梳状结构剖面为N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+的结构，嵌入于N阱中；位于N阱环形周围的一个P+重掺杂有源区，该P+重掺杂有源区嵌入于P型硅衬底中，构成P+衬底接触；位于器件P+-P+之间上方的SiO2栅氧化层；位于该SiO2栅氧化层上的多晶硅栅，该多晶硅栅为条状U形结构；所述N+重掺杂有源区通过金属与阴极连接，所述阱中的P+重掺杂有源区、P+间的多晶硅栅和N阱外侧的P+衬底接触通过金属连接引出阳极。利用本发明，采用P型衬底和N阱内P+重掺杂有源区均向阴极进行双重注入实现PN结正向发光。

主权项

一种硅基正向注入发光器件，该器件采用标准CMOS工艺实现，其特征在于，该器件包括：P型硅衬底(1)；嵌入于该P型硅衬底(1)中的N阱(2)；由N+重掺杂有源区(3)与P+重掺杂有源区(4)交替构成的U形梳状结构，该U形梳状结构剖面为N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+的结构，嵌入于N阱(2)中；位于N阱(2)周围的一个P+重掺杂有源区(4)，该P+重掺杂有源区(4)嵌入于P型硅衬底(1)中，构成P+衬底接触(5)；位于器件P+-P+之间上方的SiO2栅氧化层(8)；位于该SiO2栅氧化层(8)上的多晶硅栅(6)，该多晶硅栅(6)为U形条状结构；所述N+重掺杂有源区(3)通过金属(7)与阴极连接，所述阱中的P+重掺杂有源区(4)、P+间的多晶硅栅(6)和N阱外侧的P+衬底接触(5)通过金属(7)连接引出阳极。