提高有源区域边角圆度的方法

摘要

本发明公开了提高有源区域边角圆度的方法，用有源区域刻蚀和退却预处理工序之后，该方法包括：对暴露出来的有源区域边角进行离子轰击，使得所述边角处的单晶硅转变为非晶结构；对有源区域侧壁及沟槽底部暴露的单晶硅和经过离子轰击处理的有源区域边角进行氧化处理，得到硅的氧化薄膜。本发明提供的提高AA边角圆度的方法，通过改变现有处理流程，在退却预处理之后并不立即进行氧化处理，而是先对AA corner处的硅进行一步离子轰击的处理，将所述AA corner处的硅由单晶结构变为非晶结构，之后再进行氧化处理；由于非晶结构硅的氧化速度比单晶硅更快，使得AA corner处生成的氧化硅厚度变大，从而提高了AA corner的圆度。

主权项

一种提高有源区域边角圆度的方法，用有源区域刻蚀和退却预处理工序之后，其特征在于，该方法包括：对暴露出来的有源区域边角进行离子轰击，使得所述边角处的单晶硅结构转变为非晶结构；对有源区域侧壁及沟槽底部暴露的单晶硅和经过离子轰击处理的有源区域边角进行氧化处理，得到硅的氧化薄膜。