一种隧穿场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括一个源极、一个漏极、一个栅极、以及一个衬底。所述半导体器件的沟道向衬底内凹陷，使其漏电流降低的同时驱动电流上升。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流、集成度高等优点，采用本发明的集成电路的静态功耗可以得到降低，集成度也可以得到提高。

主权项

一种隧穿场效应晶体管，其特征在于包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的具有第二种掺杂类型的漏区；在所述半导体衬底内靠近漏区的一侧形成的一个凹陷型沟道区域；在所述半导体衬底内沟道区域的非漏区侧形成的具有第一种掺杂类型的源区；在所述沟道区域之上形成的覆盖整个沟道区域的第一层绝缘薄膜；在所述沟道区域之上形成的覆盖整个沟道区域的第二层绝缘薄膜；在所述沟道区域之上形成的覆盖整个沟道区域的第一种导电材料栅区；在所述沟道区域之上形成的覆盖整个沟道区域的第二种导电材料栅区；在所述栅区两侧形成的覆盖整个栅区两侧面的第三种绝缘薄膜边墙；以第四种绝缘薄膜覆盖在所述源区、漏区、栅区以及边墙区；在所述源区、漏区以及栅区形成的第三种种导电材料的电极。