一种通过氧化处理提纯金属硅的方法

摘要

本发明公开了一种通过氧化处理提纯金属硅的方法，包括如下步骤：将金属硅去油、洗净、烘干；然后在氧气气氛下加热，保温、降温再保温之后冷却；最后在盐酸和氢氟酸混合溶液浸泡后用去离子水清洗干净而得到纯度为4～5N的高级金属硅。本发明利用了硅中界面具有较高能量易于杂质聚集的原理，在金属硅表面通过氧化的方式人为形成硅-二氧化硅界面，对金属硅中的杂质进行初步的吸杂处理，得到较纯的硅材料，以用于后续的提纯工艺。本发明优点在于工艺流程简单，低能耗，低成本，无污染排放，生产效率高，产率高，通过此方法提纯制备的硅原料能够初步达到太阳级硅的要求。

主权项

一种通过氧化处理提纯金属硅的方法，其特征在于：包括如下步骤：1)将金属硅去油、洗净、烘干；2)将步骤1)的产物在氧气气氛下加热至1100～1350℃，保温20～240分钟，以1～10℃每分钟的速率降温至700～1000℃，保温30～150分钟之后冷却至室温；3)将步骤2)的产物取出，用质量百分比浓度为5％～20％的盐酸和质量百分比浓度为1％～10％的氢氟酸按体积比1∶1浸泡1～5个小时后，用去离子水清洗干净。