| 发明名称 | 一种混合结型源漏场效应晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种混合结型源漏的场效应晶体管及其制备方法。该混合结型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管相比，本发明所述的场效应晶体管具有较低的漏电流特性，同时该种场效应晶体管的源漏串联电阻比PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻小。 | ||
| 申请公布号 | CN101777586A | 申请公布日期 | 2010.07.14 |
| 申请号 | CN201010023067.9 | 申请日期 | 2010.01.21 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 吴东平;张世理;葛亮;仇志军 |
| 分类号 | H01L29/80(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/80(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，其特征在于：包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||