| 发明名称 | 半导体存储器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露了一种半导体存储器的制造方法，包括：提供具有存储单元区和周边电路区的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极物质层；在所述栅极物质层上形成第一掩膜，该第一掩膜遮挡周边电路区并在存储单元区定义出栅极阵列；以所述第一掩膜为阻挡层，刻蚀形成栅极阵列；以所述第一掩膜为阻挡层，进行防穿透(APT)注入。可见，其不同于现有技术利用栅极阵列作为APT注入的阻挡层，而是保留定义存储单元区栅极阵列的掩膜，作为APT注入的阻挡层，以减少栅极阵列的厚度与APT注入的关联程度，从而根据存储单元其他性能要求来降低栅极阵列的厚度，进而提高半导体存储器的集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN101777515A | 申请公布日期 | 2010.07.14 |
| 申请号 | CN200910045243.6 | 申请日期 | 2009.01.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 徐丹;杨中辉;刘经国;孙士祯 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体存储器的制造方法，其特征是，包括：提供具有存储单元区和周边电路区的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极物质层；在所述栅极物质层上形成第一掩膜，该第一掩膜遮挡周边电路区并在存储单元区定义出栅极阵列；以所述第一掩膜为阻挡层，刻蚀形成栅极阵列；以所述第一掩膜为阻挡层，进行防穿透注入。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||