半导体晶片承载结构及其制法;CARRIER STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

摘要

本发明系有关于一种半导体晶片承载结构及其制法，其制法步骤包括：提供一具有至少一贯穿开口之支承板，其中该支承板之开口中设置有一半导体晶片，且该支承板之表面形成有一可去除黏膜，以暂时固定该半导体晶片于该支承板之开口中；于该支承板之开口与该半导体晶片之间的间隙填入一黏结材料，以固定该半导体晶片；以及移除该第一可去除黏膜。本发明可避免因置入支承板开口中之半导体晶片未固定前之微小移动所造成的对位误差，俾可提高对位精准度，有利于线路更细小化，以符合半导体封装件轻薄短小之发展潮流。

主权项

1.一种半导体晶片承载结构之制法，其步骤包括：提供一具有相对之第一及第二表面之支承板，其中该支承板具有至少一贯穿开口，该开口中系设置有一具有相对之主动表面及非主动表面之半导体晶片，该半导体晶片之主动表面具有复数电极垫，且该支承板之第一表面与同侧之该半导体晶片之一表面形成有一第一可去除黏膜，以暂时固定该半导体晶片；于该支承板之开口与该半导体晶片间之间隙内填入一黏结材料，以固定该半导体晶片，其中第一可去除黏膜系凹入于该支承板之开口与该半导体晶片间之间隙，俾使该黏结材料不致溢出该间隙；以及移除该第一可去除黏膜，其中该黏结材料所显露之表面，系为该第一可去除黏膜所造成之一凹入表面，其中，该支承板系包括一第一核心层、一第二核心层以及一内黏结层，该第一核心层及该第二核心层系夹置该内黏结层，以形成一三明治式结构，该三明治式结构复经过热压而结合成为该支承板，且部份该内黏结层经过热压而被挤出并且填入该支承板开口与该半导体晶片间之间隙，以黏结固定该半导体晶片。 ;2.如申请专利范围第1项所述之制法，复包括于填入该黏结材料前，于该支承板之第二表面与同侧之该半导体晶片之另一表面形成有一第二可去除黏膜，俾使该黏结材料不致溢出该间隙，及保护该半导体晶片。 ;3.如申请专利范围第2项所述之制法，复包括于移除该第一可去除黏膜后，移除该第二可去除黏膜。 ;4.如申请专利范围第1项所述之制法，其中，第一核心层、第二核心层以及该内黏结层系皆形成有对应之贯穿开口，且该第一核心层系先于一表面形成该第一可去除黏膜以封住其开口，并藉以暂时固定该半导体晶片于该第一核心层的开口内，再依序于该第一核心层另一表面叠合该内黏结层及该第二核心层，以形成一三明治结构。 ;5.如申请专利范围第1项所述之制法，其中，系先依序叠合该第一核心层、该内黏结层及该第二核心层以形成该三明治结构，再于该三明治结构形成至少一贯穿开口。 ;6.如申请专利范围第1项所述之制法，其中，该第一核心层及第二核心层系分别为金属材料、陶瓷材料、电路板及其他介电材料之其中一者。 ;7.如申请专利范围第1项所述之制法，其中，该内黏结层系为有机薄膜介电材、液态有机树脂材料、树脂片(Prepreg)及上述所组群组之其中一者。 ;8.如申请专利范围第1项所述之制法，其中，该半导体晶片系经由其主动表面接置该第一可去除黏膜而暂时固定于该支承板之开口中。 ;9.如申请专利范围第1项所述之制法，其中，该半导体晶片系经由其非主动表面接置该第一可去除黏膜而暂时固定于该支承板之开口中。 ;10.如申请专利范围第1项所述之制法，其中，该第一可去除黏膜系为离形膜(release film)及胶带之其中一者。 ;11.如申请专利范围第1项所述之制法，其中，该黏结材料系为有机薄膜介电材、液态有机树脂材料或树脂片(Prepreg)所组群组之其中一者。 ;12.如申请专利范围第1项所述之制法，复包括于该半导体晶片之主动表面及同侧之该支承板一表面上形成一增层结构，其中，该增层结构包括有至少一介电层、至少一叠置于该介电层上之线路层、复数导电盲孔以及复数电性连接垫，且该部份该导电盲孔系电性连接至该半导体晶片之电极垫。 ;13.一种半导体晶片之承载结构，其包括：一支承板，该支承板具有至少一贯穿开口，且该开口中系设置有一具有相对之主动表面及非主动表面之半导体晶片，该半导体晶片之主动表面具有复数电极垫；一黏结材料，系填入于该支承板之开口与该半导体晶片间之间隙内，以固定该半导体晶片，其中该黏结材料所显露之表面，系一凹入表面；以及一增层结构，该增层结构具有至少一介电层，其中一介电层系形成于该半导体晶片之主动表面、同侧之该支承板一表面，及该黏结材料之凹入表面，俾藉由该凹入表面与该介电层之结合结构以分散不同材料间之应力。 ;14.如申请专利范围第13项所述之结构，其中，该支承板系包括一第一核心层、一第二核心层以及一内黏结层，该第一核心层及该第二核心层系夹置该内黏结层，且该第一核心层及第二核心层系分别为金属材料、陶瓷材料、电路板及其他介电材料之其中一者，又该内黏结层系为有机薄膜介电材、液态有机树脂材料、树脂片(Prepreg)及上述所组群组之其中一者。 ;15.如申请专利范围第13项所述之结构，其中，该黏结材料系为有机薄膜介电材、液态有机树脂材料或树脂片(Prepreg)所组群组之其中一者。 ;16.如申请专利范围第13项所述之结构，其中，该半导体晶片之主动表面系齐平于、高于及低于同侧之该支承板一表面的其中一者。 ;17.如申请专利范围第13项所述之结构，其中，该增层结构复包括有至少一叠置于该介电层上之线路层、复数导电盲孔以及复数电性连接垫，且该部份该导电盲孔系电性连接至该半导体晶片之电极垫。;图1系习知之嵌埋有晶片之载板之剖面示意图。;图2A至2D系本发明一较佳实施例之制作流程剖视图。;图3A至3B系本发明一较佳实施例之制作半导体晶片承载结构其中一部份流程剖视图。;图4至图8系本发明其他较佳实施例之制作流程剖视图。