Halbleitervorrichtung mit selbstjustierten Kontakten, integrierte Schaltung und Herstellungsverfahren

摘要

Es wird eine Halbleitervorrichtung (100) mit selbstjustierten Kontakten (102), eine integrierte Schaltung und ein Herstellungsverfahren hierfür angegeben. Gemäß einer Ausführungsform werden Gatesteuerstrukturen (102) ausgebildet. Jede der Gatesteuerstrukturen (102) eignet sich zur Steuerung der Leitfähigkeit eines Kanalgebiets (103) innerhalb eines Siliziumcarbidsubstrats (101) durch Feldeffekt. Ein Kontaktloch (104) ist über zwischenliegende Abstandshalter (106) selbstjustiert zu gegenüberliegenden Seitenwänden (105) benachbarter Gatesteuerstrukturen (102) ausgerichtet.