发明名称 |
垂直结构发光二极管的制造方法 |
摘要 |
本发明提供了垂直结构发光二极管的制作方法,包括如下步骤:在氮化镓外延层上沉积接触、反光层金属;在基板上沉积金属焊料;将氮化镓外延层与基板键合;去除蓝宝石衬底;外延层表面粗化,露出外延层中的N型氮化镓;去除划片槽区域的氮化镓外延层;沉积钝化层保护膜;露出沉积电极窗口,腐蚀去除电极窗口下的钝化层,蒸镀与N型氮化镓接触的金属薄膜,然后使用剥离工艺制作N电极28;划片切割垂直结构发光二极管。本发明具有工艺流程简单,有利于保障发光二极管的可靠性,提高良率,只用到两次光刻工艺,节省成本。 |
申请公布号 |
CN101771116A |
申请公布日期 |
2010.07.07 |
申请号 |
CN200910156998.3 |
申请日期 |
2009.12.31 |
申请人 |
杭州士兰明芯科技有限公司 |
发明人 |
田红涛 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
垂直结构发光二极管的制作方法,其特征在于:(1)在氮化镓外延层22上沉积接触、反光层金属21;(2)在导热、导电的基板25上沉积金属焊料24(3)通过反光层金属层21和金属焊料24,将氮化镓外延层22与基板25键合;(4)通过激光剥离或者机械研磨的方法去除蓝宝石衬底23;(5)通过干法刻蚀或者湿法腐蚀使去掉蓝宝石衬底后的外延层表面粗化,露出外延层中的N型氮化镓;(6)通过匀胶、光刻使发光二极管发光区被光刻胶26覆盖保护,露出划片槽窗口,然后通过干法刻蚀或者湿法腐蚀,去除划片槽区域的氮化镓外延层,去除光刻胶;或者先沉积刻蚀或腐蚀掩膜,然后匀胶、光刻,通过腐蚀去除划片槽区域的掩膜,然后再去除划片槽区域的氮化镓外延层,去除腐蚀掩模;(7)沉积一层钝化层27保护膜,使外延层和划片槽均被钝化层保护;(8)通过匀胶、光刻,露出沉积电极窗口,腐蚀去除电极窗口下的钝化层,蒸镀与N型氮化镓接触的金属薄膜,然后使用剥离工艺制作N电极28;(9)划片切割垂直结构发光二极管。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区东区10号路300号 |