| 发明名称 | 微谐振器系统及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的各个实施例涉及微谐振器系统和制造谐振器系统的方法。在一个实施例中，一种微谐振器系统(200)包括具有顶表面层(204)的衬底(206)以及埋入该衬底中且毗邻该衬底的顶表面层定位的至少一个波导(214，216)。该微谐振器系统还包括微谐振器(202，402)，这些微谐振器具有顶层(218)、中间层(222)、底层(220)、外围区以及外围涂层(224)。该微谐振器的底层(220)附连至衬底的顶表面层(204)并与之电连接。该微谐振器被定位成使该外围区的至少一部分位于至少一个波导(214，216)之上。该外围涂层(224)覆盖外围表面的至少一部分，且具有相对微谐振器的顶层、中间层以及底层而言更低的折射率。 | ||
| 申请公布号 | CN101772867A | 申请公布日期 | 2010.07.07 |
| 申请号 | CN200880101543.5 | 申请日期 | 2008.07.30 |
| 申请人 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 发明人 | M·谭;S·-Y·王;D·斯图尔特;D·法塔勒 |
| 分类号 | H01S3/08(2006.01)I;H01S3/109(2006.01)I | 主分类号 | H01S3/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种微谐振器系统(200)，包括：具有顶表面层(204)的衬底(206)埋入所述衬底(206)并毗邻所述衬底的所述顶表面层定位的至少一个波导(214，216)；以及具有顶层(218)、中间层(222)、底层(220)、外围区以及外围涂层(224)的微谐振器，其中所述微谐振器的所述底层附连至所述衬底的所述顶表面层并与之电连接，所述谐振器被定位成使所述外围区的至少一部分位于所述至少一个波导之上，而且所述外围涂层覆盖所述外围表面的至少一部分，且具有相对所述微谐振器的所述顶层、中间层以及底层而言更低的折射率。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||