| 主权项 |
1.一种用于形成于水中系固体之物件之磺酸化嵌段共聚物，包含至少二个聚合物终端嵌段A，及至少一个聚合物内部嵌段B，其中：a.每一A嵌段系耐磺酸化之聚合物嵌段，且每一B嵌段系易磺酸化之聚合物嵌段，该等A及B嵌段系不含有重大量之烯烃不饱和；b.每一A嵌段个别具有一介于1,000与60,000间之数平均分子量，且每一B嵌段个别系具有一介于10,000与约300,000间之数平均分子量；c.每一A嵌段包含一或多个选自聚合化之(i)对位-取代之苯乙烯单体、(ii)乙烯、(iii)3至18个碳原子之α烯烃、(iv)1,3-环二烯单体、(v)于氢化反应前具有少于35莫耳%之乙烯基含量之共轭二烯单体、(vi)丙烯酸酯、(vii)甲基丙烯酸酯，及(viii)其等之混合物之区段，其中任何含有聚合化之1,3-环二烯或聚合化之共轭二烯之区段随后被氢化，且其中任何包含聚合化之乙烯或一共轭非环状二烯之氢化聚合物之A嵌段具有一大于50℃之熔点；d.每一B嵌段包含一或多个选自聚合化之(i)未经取代之苯乙烯单体、(ii)邻位-取代之苯乙烯单体、(iii)间位-取代之苯乙烯单体、(iv)α-甲基苯乙烯、(v)1,1-二苯基乙烯、(vi)1,2-二苯基乙烯，及(vii)其等之混合物之乙烯基芳香族单体之区段；e.以该B嵌段内之乙烯基芳香族单体单元为基准计，该B嵌段被磺酸化至10至100莫耳%之程度；f.在每一B嵌段内是为未经取代之苯乙烯单体、邻位-取代之苯乙烯单体、间位-取代之苯乙烯单体、α-甲基苯乙烯、,1,1-二苯基乙烯，及1,2-二苯基乙烯之乙烯基芳香族单体之莫耳百分率系介于10莫耳%与100莫耳%之间；且g.该磺酸化嵌段共聚物当被形成一物件时具有依据ASTM D412在水的存在下大于100 psi之抗张强度。 ;2.如申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，其中该A嵌段中之该聚合物进一步包含至多15莫耳%之选自(i)未经取代之苯乙烯单体、(ii)邻位-取代之苯乙烯单体、(iii)间位-取代之苯乙烯单体、(iv)α-甲基苯乙烯、(v)1,1-二苯基乙烯、(vi)1,2-二苯基乙烯，及(vii)其等之混合物之聚合化之单体。 ;3.如申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，进一步包含至少一具有一低于20℃之玻璃转移温度及一介于1,000与50,000间之数平均分子量之聚合物嵌段D。 ;4.如申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，其中该A嵌段包含一或多个选自对-甲基苯乙烯、对-乙基苯乙烯、对-正丙基苯乙烯、对-异丙基苯乙烯、对-正丁基苯乙烯、对-第二丁基苯乙烯、对-异丁基苯乙烯、对-第三丁基苯乙烯、对-癸基苯乙烯之异构物，及对-十二烷基苯乙烯之异构物之聚合化之对位-取代之苯乙烯单体之区段。 ;5.如申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，其中该A嵌段系具有一介于1,000与60,000间之数平均分子量之聚合化之乙烯之区段。 ;6.如申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，其中于氢化反应前之该A嵌段系聚合化之1,3-环二烯单体之区段，该单体系选自1,3-环己二烯、1,3-环庚二烯，及1,3-环辛二烯。 ;7.如申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，其中于氢化反应前之该A嵌段系低乙烯基含量之1,3-丁二烯之聚合化之区段，且其中于氢化反应前之该乙烯基含量系少于20莫耳%。 ;8.如申请专利范围第4项之磺酸化嵌段共聚物，其中该A嵌段系对-第三丁基苯乙烯之聚合化之区段，且该B嵌段系未经取代之苯乙烯聚合化之区段。 ;9.如申请专利范围第4项之磺酸化嵌段共聚物，其中该A嵌段系对-甲基苯乙烯之聚合化之区段，且该B嵌段系未经取代之苯乙烯之聚合化之区段。 ;10.如申请专利范围第1项磺酸化嵌段共聚物，其具有通式结构A-B-A、A-B-A-B-A、(A-B-A)nX，及(A-B)nX，或其等之混合物，其中n系2至30之整数，且X系偶合剂残基。 ;11.如申请专利范围第10项之磺酸化嵌段共聚物，其中以该B嵌段内之乙烯基芳香族单体单元为基准计，该B嵌段被磺酸化至20至90莫耳%之程度。 ;12.如申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，其中该嵌段共聚物内之疏水性单体之莫耳百分率系足以使该嵌段共聚物不溶于水。 ;13.如申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，其中该等终端嵌段之莫耳百分率系大于15%。 ;14.如申请专利范围第13项之磺酸化嵌段共聚物，其中该等终端嵌段之莫耳百分率系大于20%。 ;15.如申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，其中该内部嵌段B系一或多种未经取代之苯乙烯单体及于氢化前具有20至80莫耳%之乙烯基含量之共轭二烯单体之氢化共聚物。 ;16.如申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，其被形成为一具有一依据ASTM E96-00“乾燥”方法大于0.1 x 10-6克/百斯卡.公尺.小时之渗水性、一依据ASTM D412之大于500 psi之湿抗张强度以及一少于100重量%之膨胀性之物件。 ;17.如申请专利范围第16项之磺酸化嵌段共聚物，其被形成一具有一依据ASTM E96-00“乾燥”方法之大于0.1 x 10-6克/百斯卡.公尺.小时之渗水性及一依据ASTM D412之大于1000 psi之湿抗张强度之物件。 ;18.如申请专利范围第16项之磺酸化嵌段共聚物，其被形成为一具有一大于0.3之湿抗张强度对乾抗张强度之比例之物件。 ;19.如申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，其中该内部嵌段B内之至少20莫耳%之单体系被磺酸化。 ;20.一种用于形成于水中系固体之物件之磺酸化嵌段共聚物，具有通式结构A-D-B-D-A、A-B-D-B-A、(A-D-B)nX、(A-B-D)nX，或其等之混合物，其中n系2至30之整数，且X系偶合剂残基，其中：a.每一A嵌段及每一D嵌段系耐磺酸化之聚合物嵌段，且每一B嵌段系易磺酸化之聚合物嵌段，该等A、B及D嵌段不含有重大量之烯烃不饱和；b.每一A嵌段个别具有一介于1,000与60,000间之数平均分子量，且每一B嵌段个别系具有一介于10,000与300,000间之数平均分子量；c.每一A嵌段包含一或多个选自聚合化之(i)对位-取代之苯乙烯单体、(ii)乙烯、(iii)3至18个碳原子之α烯烃、(iv)1,3-环二烯单体、(v)于氢化反应前具有少于35莫耳%之乙烯基含量之共轭二烯单体、(vi)丙烯酸酯、(vii)甲基丙烯酸酯，及(viii)其等之混合物之区段，其中任何含有聚合化之1,3-环二烯或一共轭二烯之区段于随后被氢化；d.每一B嵌段包含一或多个选自聚合化之(i)未经取代之苯乙烯单体、(ii)邻位-取代之苯乙烯单体、(iii)间位-取代之苯乙烯单体、(iv)α-甲基苯乙烯、(v)1,1-二苯基乙烯、(vi)1,2-二苯基乙烯，及(vii)其等之混合物之乙烯基芳香族单体之区段；e.每一D嵌段包含具有一低于20℃之玻璃转移温度及一介于1,000与50,000间之数平均分子量之聚合物，该D嵌段系选自(i)聚合化或共聚合化之选自异戊间二烯、1,3-丁二烯之共轭二烯，其于氢化反应前具有20与80莫耳%间之乙烯基含量，(ii)聚合化之丙烯酸酯单体，(iii)矽聚合物，(iv)聚合化之异丁烯，及(v)其等之混合物所组成之族群，其中任何含有聚合化之1,3-丁二烯或异戊间二烯之区段随后被氢化；f.以该B嵌段内之乙烯基芳香族单体单元为基准计，该B嵌段被磺酸化至10至100莫耳%之程度；且g.于每一B嵌段内是为未经取代之苯乙烯单体、邻位-取代之苯乙烯单体、间位-取代之苯乙烯单体、α-甲基苯乙烯、1,1-二苯基乙烯，及1,2-二苯基乙烯之乙烯基芳香族单体之莫耳百分率系介于10莫耳%与100莫耳%之间。 ;21.如申请专利范围第20项之磺酸化嵌段共聚物，其中该A嵌段包含一或多种之选自对-甲基苯乙烯、对-乙基苯乙烯、对-正丙基苯乙烯、对-异丙基苯乙烯、对-正丁基苯乙烯、对-第二丁基苯乙烯、对-异丁基苯乙烯、对-第三丁基苯乙烯、对-癸基苯乙烯之异构物，及对-十二烷基苯乙烯之异构物之对位-取代之苯乙烯单体之聚合物。 ;22.如申请专利范围第21项之磺酸化嵌段共聚物，其中该A嵌段系对-第三丁基苯乙烯之聚合物嵌段，且该B嵌段系未经取代之苯乙烯之聚合物嵌段。 ;23.如申请专利范围第21项之磺酸化嵌段共聚物，其中该A嵌段系对-甲基苯乙烯之聚合物嵌段，该B嵌段系未经取代之苯乙烯之聚合物嵌段。 ;24.如申请专利范围第22项之磺酸化嵌段共聚物，其中该D嵌段于氢化反应前系1,3-丁二烯之聚合物嵌段，且其中嵌段D内之20至80莫耳%之缩合丁二烯单元于氢化反应前具有1,2-结构。 ;25.如申请专利范围第20项之磺酸化嵌段共聚物，其中该磺酸化嵌段共聚物当被形成一物件时具有一依据ASTM D412在水的存在下大于100 psi之抗张强度。 ;26.一种用于形成于水中系固体之物件磺酸化嵌段共聚物，其具有通式结构A-B-A、A-B-A-B-A、(A-B-A)nX、(A-B)nX，或其等之混合物，其中n系2至30之整数，且X系偶合剂残基，且每一A嵌段系耐磺酸化之聚合物嵌段，且每一B嵌段系易磺酸化之聚合物嵌段，该等A及B嵌段不含有重大量之烯烃不饱和，其中：a.每一A嵌段包含一或多个选自聚合化之(i)对位-取代之苯乙烯单体、(ii)乙烯、(iii)3至18个碳原子之α烯烃、(iv)1,3-环二烯单体、(v)于氢化反应前具有少于35莫耳%之乙烯基含量之共轭二烯单体、(vi)丙烯酸酯、(vii)甲基丙烯酸酯，(viii)其等之混合物之区段，其中任何含有聚合化之1,3-环二烯或聚合化之共轭二烯之区段于随后被氢化，且其中任何包含聚合化之乙烯或一共轭非环状二烯之氢化聚合物之A嵌段具有一大于50℃之熔点；b.每一B嵌段系至少一共轭二烯及至少一选自(i)未经取代之苯乙烯单体、(ii)邻位-取代之苯乙烯单体、(iii)间位-取代之苯乙烯单体、(iv)α-甲基苯乙烯、(v)1,1-二苯基乙烯、(vi)1,2-二苯基乙烯，及(vii)其等之混合物之单烯基芳族烃之共聚物嵌段，其中该B嵌段随后被氢化；c.每一A嵌段具有一介于1,000与60,000间之数平均分子量，且每一B嵌段具有一介于10,000与300,000间之数平均分子量；d.每一B嵌段之单烯基芳族烃之重量百分率系5%与100%之间；e.该磺酸化嵌段共聚物内之该单烯基芳族烃之总量系20重量%与80重量%之间；且f.以该B嵌段内之乙烯基芳香族单体单元为基准计，该B嵌段被磺酸化至10至100莫耳%之程度。 ;27.如申请专利范围第26项之磺酸化嵌段共聚物，其中于氢化反应前之该B嵌段系未经取代之苯乙烯及共二烯之共聚物嵌段。 ;28.如申请专利范围第27项之磺酸化嵌段共聚物，其中于氢化反应前该B嵌段内之该共轭二烯系选自具有20至80莫耳%之乙烯基含量之1,3-丁二烯、异戊间二烯，及其等之混合物所组成之族群。 ;29.如申请专利范围第28项之磺酸化嵌段共聚物，其中该B嵌段系无规共聚物、锥形共聚物，或受控式分布之共聚物。 ;30.如申请专利范围第29项之磺酸化嵌段共聚物，其中该B嵌段系具有邻近该A嵌段之含丰富共轭二烯单元之终端区域及一或多个非邻近该A嵌段且含丰富单烯基芳族烃单元之区域之受控式分布之共聚物。 ;31.如申请专利范围第26项之磺酸化嵌段共聚物，其中该磺酸化嵌段共聚物当被形成一物件时具有一依据ASTM D412在水的存在下大于100 psi之抗张强度。 ;32.一种用于形成于水中系固体之物件之磺酸化嵌段共聚物，包含至少二个聚合物终端嵌段A及至少一个聚合物内部嵌段B，其中：a.每一A嵌段系耐磺酸化之聚合物嵌段，且每一B嵌段系易磺酸化之聚合物嵌段，该等A及B嵌段不含有重大量之烯烃不饱和；b.每一A嵌段个别具有一介于1,000与60,000间之数平均分子量，且每一B嵌段个别具有一介于10,000与300,000间之数平均分子量；c.该B嵌段系被磺酸化至10至100莫耳%之程度；且d.其中该嵌段共聚物被形成不溶于水且非水可分散及具有一依据ASTM D412在水的存在下大于100 psi之抗张强度之物件。 ;33.如申请专利范围第32项之磺酸化嵌段共聚物，其中每一A嵌段包含一或多个选自聚合化之(i)对位-取代之苯乙烯单体、(ii)乙烯、(iii)3至18个碳原子之α烯烃、(iv)1,3-环二烯单体、(v)于氢化反应前具有少于35莫耳%之乙烯基含量之共轭二烯单体、(vi)丙烯酸酯、(vii)甲基丙烯酸酯，(viii)其等之混合物之区段，其中任何含有聚合化之1,3-环二烯或一共轭二烯之区段于随后被氢化，且每一B嵌段包含一或多个选自(i)未经取代之苯乙烯单体、(ii)邻位-取代之苯乙烯单体、(iii)间位-取代之苯乙烯单体、(iv)α-甲基苯乙烯、(v)1,1-二苯基乙烯、(vi)1,2-二苯基乙烯，及(vii)其等之混合物之聚合化之乙烯基芳香族单体之区段。 ;34.如申请专利范围第32项之磺酸化嵌段共聚物，其中该B嵌段包含未经取代之苯乙烯及异丁烯之共聚物。 ;35.如申请专利范围第32项之磺酸化嵌段共聚物，进一步包含至少一具有一低于20℃之玻璃转移温度之嵌段D，该D嵌段包含选自异戊间二烯、于氢化反应前具有20与80莫耳%间之乙烯基含量之1,3-丁二烯，及其等之混合物之共轭二烯之氢化之聚合物或共聚物，且具有一介于1,000与50,000间之数平均分子量。 ;36.如申请专利范围第32项之磺酸化嵌段共聚物，进一步包含至少一具有一低于20℃之玻璃转移温度之嵌段D，该D嵌段包含具有一介于1000与50,000间之数平均分子量之聚合化之异丁烯、聚合化醚、丙烯酸酯之聚合物，或矽聚合物之聚合物嵌段。 ;37.一种用于形成于水中系固体之物件之磺酸化嵌段共聚物，包含聚合物嵌段A1、A2、B1及B2，具有结构(A1-B1-B2)nX、(A1-B2-B1)nX、(A2-B1-B2)nX、(A2-B2-B1)nX、(A1-A2-B1)nX、(A1-A2-B2)nX、(A2-A1-B1)nX、(A2-A1-B2)nX、(A1-A2-B1-B2)nX、(A1-A2-B2-B1)nX、(A2-A1-B1-B2)nX，或(A2-A1-B2-B1)nX，其中n系2至30之整数，且X系偶合剂残基，且其中：a.每一A1嵌段及每一A2嵌段系耐磺酸化之聚合物嵌段，且每一B1嵌段及B2嵌段系易磺酸化之聚合物嵌段，该等A1、A2、B1及B2嵌段不含有重量大之烯烃不饱和；b.每一A1嵌段及每一A2嵌段个别具有一介于1,000与60,000间之数平均分子量，且每一B1及B2嵌段个别具有一介于10,000与300,000间之数平均分子量；c.每一A1嵌段系选自(i)乙烯之聚合物，及(ii)于氢化反应前具有少于35莫耳%之乙烯基含量之共轭二烯之氢化聚合物所组成之族群；d.每一A2嵌段系选自(i)一或多种对位-取代之苯乙烯单体之聚合物，及(ii)1,3-环二烯单体之氢化聚合物所组成之族群；e.每一B1嵌段包含一或多种选自(i)未经取代之苯乙烯单体、(ii)邻位-取代之苯乙烯单体、(iii)间位-取代之苯乙烯单体、(iv)α-甲基苯乙烯、(v)1,1-二苯基乙烯、(vi)1,2-二苯基乙烯，及(vii)其等之混合物之乙烯基芳香族单体之聚合物；f.每一B2嵌段系至少一共轭二烯及至少一选自(i)未经取代之苯乙烯单体、(ii)邻位-取代之苯乙烯单体、(iii)间位-取代之苯乙烯单体、(iv)α-甲基苯乙烯、(v)1,1-二苯基乙烯、(vi)1,2-二苯基乙烯，及(vii)其等之混合物之单烯基芳族烃之氢化共聚物嵌段；且g.以该B嵌段内之乙烯基芳香族单体单元为基准计，该B1及B2嵌段被磺酸化至10至100莫耳%之程度。 ;38.一种用于形成于水中系固体之物件之磺酸化嵌段共聚物，包含至少二个聚合物终端嵌段A、至少一个聚合物内部嵌段E，及至少一个聚合物内部嵌段F，具有结构A-E-F-E-A、A-F-E-F-A、(A-F-E)nX，或(A-E-F)nX，其中n系2至30之整数，且X系偶合剂残基，且其中：a.每一A嵌段系耐磺酸化之聚合物嵌段，且每一E及F嵌段系易磺酸之聚合物嵌段，该等A、E及F嵌段不含有重大量之烯烃不饱和；b.每一A嵌段个别具有一介于1,000与60,000间之数平均分子量，且每一E及F嵌段个别具有一介于10,000与300,000间之数平均分子量；c.每一A嵌段系选自聚合化之(i)对位-取代之苯乙烯单体所组成之族群；d.每一F嵌段包含一或多种选自(i)未经取代之苯乙烯单体、(ii)邻位-取代之苯乙烯单体、(iii)间位-取代之苯乙烯单体、(iv)α-甲基苯乙烯、(v)1,1-二苯基乙烯、(vi)1,2-二苯基乙烯，及(vii)其等之混合物之乙烯基芳香族单体之聚合物；e.每一E嵌段系至少一共轭二烯及至少一选自(i)未经取代之苯乙烯单体、(ii)邻位-取代之苯乙烯单体、(iii)间位-取代之苯乙烯单体、(iv)α-甲基苯乙烯、(v)1,1-二苯基乙烯、(vi)1,2-二苯基乙烯，及(vii)其等之混合物之单烯基芳族烃氢化共聚物嵌段；且 f.其中以该E及F嵌段内之乙烯基芳香族单体单元为基准计，该E及F嵌段被磺酸化至10至100莫耳%之程度。 ;39.如申请专利范围第38项之磺酸化嵌段共聚物，其中该A嵌段系对-第三丁基苯乙烯之聚合物嵌段，该F嵌段系未经取代之苯乙烯之聚合物嵌段，且该E嵌段系1,3-丁二烯及未经取代之苯乙烯之氢化共聚物嵌段。 ;40.如申请专利范围第39项之磺酸化嵌段共聚物，其中该磺酸化嵌段共聚物当被形成一物件时具有一依据ASTM D412之在水的存在下大于100 psi之抗张强度。 ;41.如申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，其中该嵌段B内之形成磺官能基之一部份已被中和。 ;42.如申请专利范围第41项之磺酸化嵌段共聚物，其中该磺官能基之一部份已以可离子化之金属化合物中和形成金属盐。 ;43.如申请专利范围第42项之磺酸化嵌段共聚物，其中50与100%间之该磺官能基已被中和。 ;44.如申请专利范围第42项之磺酸化嵌段共聚物，其中该可离子化之金属化合物包含Na+、K+、Li+、Cs+、Ag+、Hg+、Cu+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Cu2+、Cd2+、Hg2+、Sn2+、Pb2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Zn2+、Al3+、Sc3+、Fe3+、La3+或Y3+。 ;45.如申请专利范围第42项之磺酸化嵌段共聚物，其中该可离子化之金属化合物包含氢氧化物、氧化物、醇化物、羧酸盐、甲酸盐、乙酸盐、甲氧化物、乙氧化物、硝酸盐、碳酸盐，或碳酸氢盐。 ;46.如申请专利范围第41项之磺酸化嵌段共聚物，其中该磺官能基之一部份已以一或多种之聚合物胺中和。 ;47.如申请专利范围第46项之磺酸化嵌段共聚物，其中该一或多种之聚合物胺系选自聚乙二胺、聚乙烯基胺、聚烯丙基胺、聚乙烯基吡啶等。 ;48.如申请专利范围第41项之磺酸化嵌段共聚物，其中该磺官能基之一部份已以一或多种含氮材料类似物中和。 ;49.如申请专利范围第48项之磺酸化嵌段共聚物，其中该含氮材料类似物系选自聚丙烯醯胺、聚丙烯腈、耐纶、ABS，及聚胺基甲酸酯。 ;50.一种组成物，包含申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，及至少一极性聚合物，其中该嵌段共聚物之该嵌段B内之该形成磺官能基之一部份系藉由氢键附接至其它极性聚合物。 ;51.如申请专利范围第50项之组成物，其中该磺官能基之一部份已藉由氢键附接至一或多种之含氧化合物之聚合类似物。 ;52.如申请专利范围第51项之组成物，其中该一或多种之含氧化合物之聚合类似物系选自聚合之醚、酯，及醇。 ;53.如申请专利范围第52项之组成物，其中该聚合之醚、酯，及醇系选自聚乙二醇、聚丙二醇、聚四氢呋喃、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、脂族聚酯、聚乙烯基醇、聚糖，及淀粉。 ;54.一种物件，包含申请专利范围第39项之聚合物，及离子性液体。 ;55.一种用于形成于水中系固体之物件之嵌段共聚物，包含至少二个聚合物终端嵌段A，及至少一个聚合物内嵌段B，其中：a.每一A嵌段系基本上不含磺酸或磺酸化官能基之聚合物嵌段，且以该B嵌段之单体单元数为基准计，每一B嵌段系含有10至100莫耳%之磺酸或磺酸盐官能基之聚合物嵌段，该等A及B嵌段不含有重大量之烯烃不饱和；及b.每一A嵌段个别具有一介于1,000与60,000间之数平均分子量，且每一B嵌段个别具有一介于10,000与300,000间之数平均分子量。 ;56.如申请专利范围第55项之嵌段共聚物，其中包含该B嵌段之该单体系选自对-苯乙烯磺酸钠、对-苯乙烯磺酸锂、对-苯乙烯磺酸钾、对-苯乙烯磺酸铵、对-苯乙烯磺酸胺、对-苯乙烯磺酸乙酯、甲基烯丙基磺酸钠、烯丙基磺酸钠、乙烯基磺酸钠，及其等之混合物。 ;57.如申请专利范围第55项之嵌段共聚物，其中包含每一A嵌段之该聚合物系选自聚合化之(i)对位-取代之苯乙烯单体、(ii)乙烯、(iii)3至18个碳原子之α烯烃、(iv)丙烯酸酯、(v)甲基丙烯酸酯，及(vi)其等之混合物。 ;58.如申请专利范围第55项之嵌段共聚物，其系形成具有一依据ASTM D412在水的存在下大于100 psi之抗张强度之物件。 ;59.一种制备用于形成于水中系固体之物件之磺酸化嵌段共聚物之方法，包含使先质嵌段共聚物与使B嵌段选择性磺酸化之磺酸化试剂反应；其中该磺酸化嵌段共聚物具有通式结构A-B-A、A-B-A-B-A、(A-B-A)nX、(A-B)nX，或其等之混合物，其中n系2至30之整数，且X系偶合剂残基，且其中：a.每一A嵌段系耐磺酸化之聚合物嵌段，且每一B嵌段系易磺酸化之聚合物嵌段，该等A及B嵌段不含有重大量之烯烃不饱和；b.每一A嵌段个别具有一介于1,000与60,000间之数平均分子量，且每一B嵌段个别具有一介于10,000与300,000间之数平均分子量；c.每一A嵌段包含一或多个选自聚合化之(i)对位-取代之苯乙烯单体、(ii)乙烯、(iii)3至18个碳原子之α烯烃、(iv)1,3-环二烯单体、(v)于氢化反应前具有少于35莫耳%之乙烯基含量之共轭二烯单体、(vi)丙烯酸酯、(vii)甲基丙烯酸酯，及(viii)其等之混合物之区段，其中任何含有聚合化之1,3-环二烯或一共轭二烯之区段于随后被氢化；d.每一B嵌段包含一或多种选自聚合化之(i)未经取代之苯乙烯单体、(ii)邻位-取代之苯乙烯单体、(iii)间位-取代之苯乙烯单体、(iv)α-甲基苯乙烯、(v)1,1-二苯基乙烯、(vi)1,2-二苯基乙烯，及(vii)其等之混合物之乙烯基芳香族单体之聚合物；e.每一B嵌段于磺酸化后含有一或多个磺官能基； f.于每一B嵌段内之是为未经取代之苯乙烯单体、邻位-取代之苯乙烯单体、间位-取代之苯乙烯单体、α-甲基苯乙烯、1,1-二苯基乙烯，及1,2-二苯基乙烯之乙烯基芳香族单体之莫耳百分率系介于10莫耳%与100莫耳%之间；且g.其中该磺酸化嵌段共聚物被形成不溶于水亦系水不可分散之物件。 ;60.如申请专利范围第59项之方法，其中该磺酸化试剂系醯基硫酸盐。 ;61.如申请专利范围第60项之方法，其中该醯基硫酸盐系乙醯基硫酸盐。 ;62.如申请专利范围第59项之方法，其中该磺酸化试剂系三氧化硫。 ;63.如申请专利范围第62项之方法，其中该三氧化硫系以醚改质。 ;64.如申请专利范围第59项之方法，其中以该B嵌段内之该乙烯基芳香族单体单元为基准计，该B嵌段被磺酸化至10至100莫耳%之程度。 ;65.一种制备用于形成于水中系固体之物件之具有至少二个聚合物终端嵌段A及至少一个聚合物内部嵌段B之磺酸化嵌段共聚物之方法，该方法包含使该内部嵌段B磺酸化至该嵌段B被实质上磺酸化为止，且其中：a.其中该嵌段共聚物系不溶于水；且b.其中该终端嵌段A基本上不具有磺酸化单体。 ;66.如申请专利范围第65项之方法，其中实质上磺酸化意指该嵌段共聚物之总磺酸化之至少约90%系于该中间嵌段B发生。 ;67.一种物件，其至少部分地形成自一种包含申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物之组成物，该物件系选自燃料电池、织物、经涂覆之织物、过滤膜、去盐膜、空调膜、热回收膜、膜之涂覆物、个人卫生物件、黏着剂、水凝胶、防污涂覆物、吸水物件、电极组件，及海事用涂覆物。 ;68.一种选择性可渗透之膜，其部分地形成自一包含申请专利范围第20项之磺酸化嵌段共聚物之组成物形成。 ;69.一种选择性可渗透之膜，其部分地形成自一包含申请专利范围第32项之磺酸化嵌段共聚物之组成物形成。 ;70.一种膜，其系自一包含申请专利范围第20项之磺酸化嵌段共聚物之组成物形成。 ;71.一种纤维，其系自一包含申请专利范围第20项之磺酸化嵌段共聚物之组成物形成。 ;72.一种织物，其系自一包含申请专利范围第20项之磺酸化嵌段共聚物之组成物形成。 ;73.一种层合物，其系自一包含申请专利范围第20项之磺酸化嵌段共聚物之组成物形成。 ;74.一种燃料电池，包含：a.申请专利范围第68项之膜；b.与该膜接触之第一及第二相反电极； c.用以供应燃料至该第一电极之装置；及d.用以容许一氧化剂接触该第二电极之装置。 ;75.一种黏着剂，其系自一包含申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物之组成物形成。 ;76.一种用于个人卫生物件之吸收性芯材，其系自一包含申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物之组成物及一超吸收性材料形成。 ;77.如申请专利范围第76项之用于个人卫生物件之吸收性芯材，其中该磺酸化嵌段共聚物系含有超吸收性材料之膜之型式。 ;78.如申请专利范围第76项之吸收性芯材，其中该超吸收性材料亦包含纤维材料。 ;79.一种涂覆物，其系自申请专利范围第1项之组成物形成。 ;80.一种衣服，包含多层之围烧申请专利范围第68项之膜之机织及非机织之织物。 ;81.一种机织或非机织之织物，其系以申请专利范围第20项之聚合物涂覆。 ;82.一种改变一由申请专利范围第1项之聚合物所铸制之膜之运送性质之方法，该方法包含使用一包含二或多种选自极性溶剂及非极性溶剂所组成族群之溶剂之溶剂混合物来铸制该聚合物。 ;83.如申请专利范围第82项之方法，其中该极性溶剂系选自具有1至20个碳原子之醇、具有1至20个碳原子之醚、羧酸酯、硫酸酯、醯胺、羧酸、酐、腈，及具有1至20个碳原子之酮。 ;84.如申请专利范围第82项之方法，其中该极性溶剂系选自甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、二甲基醚、二乙基醚、二丙基醚、二丁基醚、经取代及未经取代之呋喃、杂氧环丁烷、二甲基酮、二乙基酮、甲基乙基酮、经取代及未经取代之四氢呋喃、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、甲基硫酸盐、二甲基硫酸盐、二硫化碳、甲酸、乙酸、丙酮、间甲酚、甲氧甲酚、二甲基亚碸(DMSO)、环己酮、二甲基乙醯胺、二甲基甲醯胺、乙腈、水，及二恶烷。 ;85.如申请专利范围第82项之方法，其中该非极性溶剂系选自甲苯、苯、二甲苯、三甲苯、己烷、庚烷、辛烷、环己烷、氯仿、二氯乙烷、二氯甲烷、四氯化碳、三乙基苯、甲基环己烷、异戊烷，及环戊烷。 ;86.一种组成物，包含申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，及选自色料、抗氧化剂、安定剂、表面活性剂、蜡、流动促进剂、颗粒、填料，及油所组成族群之额外组份。 ;87.一种组成物，包含申请专利范围第1项之磺酸化嵌段共聚物，及选自其它聚合物、聚合物液体，及填料所组成族群之额外组份。 ;88.如申请专利范围第87项之组成物，其中该其它聚合物系选自烯烃聚合物、苯乙烯聚合物、黏化树脂、亲水性聚合物，及工程热塑性聚合物所组成之族群。 ;89.如申请专利范围第88项之组成物，其中该苯乙烯聚合物系选自结晶性聚苯乙烯、高冲击性聚苯乙烯、中冲击性聚苯乙烯、间同立构聚之聚苯乙烯、磺酸化聚苯乙烯、苯乙烯/丙烯腈/丁二烯聚合物，及苯乙烯/烯烃共聚物。 ;90.一种嵌段共聚物，其于氢化前具有通式结构A-B-A、A-B-A-B-A、(A-B-A)Nx、(A-B)nX、A-D-B-D-A、A-B-D-B-A、(A-D-B)nX、(A-B-D)nX，或其等之混合物，其中n系2至30之整数，且X系偶合剂残基，且其中：a.每一A嵌段系耐磺酸化之聚合物嵌段，每一D嵌段系易磺酸化之聚合物嵌段，且每一B嵌段系易磺酸化之聚合物嵌段，该等A、D及B嵌段不含有重大量之烯烃不饱和；b.每一A嵌段个别具有一介于1,000与60,000间之数平均分子量，每一D嵌段个别具有一介于1,000与50,000之数平均分子量，且每一B嵌段个别具有一介于10,000与300,000之数平均分子量；c.每一A嵌段包含一或多个选自聚合化之(i)对位-取代之苯乙烯单体、(ii)乙烯、(iii)3至18个碳原子之α烯烃、(iv)1.3-环二烯单体、(v)于氢化反应前具有少于35莫耳%之乙烯基含量之共轭二烯单体、(vi)丙烯酸酯、(vii)甲基丙烯酸酯，及(viii)其等之混合物之区段；d.每一B嵌段包含一或多种之选自聚合化之(i)未经取代之苯乙烯单体、(ii)邻位-取代之苯乙烯单体、(iii)间位-取代之苯乙烯单体、(iv)α-甲基苯乙烯、(v)1,1-二苯基乙烯、(vi)1,2-二苯基乙烯，及(vii)其等之混合物之乙烯基芳香族单体之区段；e.每一D嵌段包含具有一低于20℃之玻璃转移温度及一介于1000与50,000间之数平均分子量之聚合物，该D嵌段系选自(i)选自异戊间二烯、于氢化反应前具有20与80莫耳%间之乙烯基含量之1,3-丁二烯之聚合化或共聚合化之共轭二烯、(ii)聚合化之丙烯酸酯单体、(iii)矽酮聚合物、(iv)聚合化之异丁烯，及(v)其等之混合物所组成之族群，其中任何含有聚合化之1,3-丁二烯或异戊间二烯之区段随后被氢化；且f.在每一B嵌段内是为未经取代之苯乙烯单体、邻位-取代之苯乙烯单体、间位-取代之苯乙烯单体、α-甲基苯乙烯、1,1-二苯基乙烯，及1,2-二苯基乙烯之乙烯基芳香族单体之莫耳百分率系介于10莫耳%与100莫耳%之问。 ;91.如申请专利范围第90项之嵌段共聚物，其中该A嵌段包含一或多种选自对-甲基苯乙烯、对-乙基苯乙烯、，对-正丙基苯乙烯、对-异丙基苯乙烯、对-正丁基苯乙烯、对-第二丁基苯乙烯、对-异丁基苯乙烯、对-第三丁基苯乙烯、对-癸基苯乙烯之异构物，及对-十二烷基苯乙烯之异构物之对位-取代之苯乙烯单体之聚合物。 ;92.如申请专利范围第91项之嵌段共聚物，其中该A嵌段系对-第三丁基苯乙烯之聚合物嵌段，且该B嵌段系未经取代之苯乙烯之聚合物嵌段。 ;93.如申请专利范围第91项之 嵌段共聚物，其中该A嵌段系对-甲基苯乙烯之聚合物嵌段，且该B嵌段系未经取代之苯乙烯之聚合物嵌段。 ;94.如申请专利范围第90项之嵌段共聚物，其中该D嵌段于氢化反应前系1,3-丁二烯之聚合物嵌段，且其中，嵌段D内之20至80莫耳%之缩合丁二烯单元于氢化反应前具有1,2-结构。;第1图系显示样品T－3于磺酸化前后之贮存模量之比较。此图显示S/EB内嵌段之玻璃至橡胶之转移之中点，Tg，系从约15℃移至约50℃。;第2图显示样品T－2之内嵌段之Tg之相似增加。此等增加证明于二样品中，内嵌段被磺酸化至造成样品物理性质重大变化之程度。;第3图显示以AFM产生图像之自(左)90/10甲苯/甲醇、(中间)80/20 THF/甲苯，及(右)50/50 THF/甲苯铸制之膜之结构。;第4图显示DSC作图，其系显示为铸制溶液之函数之水熔融之差异。 |
