Metalldeckschicht mit besserer Ätzwiderstandsfähigkeit für kupferbasierte Metallgebiete in Halbleiterbauelementen

摘要

Während der Herstellung aufwändiger Metallisierungssystem von Halbleiterbauelementen wird eine Materialbeeinträchtigung leitender Deckschichten deutlich verringert, indem ein Edelmetall auf freiliegenden Oberflächenbereichen nach dem Strukturieren der entsprechenden Kontaktlochöffnungen vorgesehen wird. Somit können gut etablierte nasschemische Ätzchemien eingesetzt werden, ohne dass in unerwünschter Weise zur Prozesskomplexität beigetragen wird.