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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterheterostrukturen mittels Molekularstrahlepitaxie, welches die folgenden Schritte enthält: Einbringen eines Substrates in eine erste Vakuumkammer, Aufheizen des Substrates auf eine erste Temperatur, Erzeugen der ersten epitaktischen Schicht, wobei die Schicht eine erste Verbindung aus einer binären, ternären oder quaternären Verbindung von Elementen der III. und V. Hauptgruppe enthält und aus einem Molekularstrahl abgeschieden wird, Abkühlen des Substrates auf eine zweite Temperatur, wobei der Molekularstrahl von Elementen der III. und V. Hauptgruppe unterbrochen wird, Aufheizen des Substrates auf eine dritte Temperatur und Erzeugen der zweiten epitaktischen Schicht, wobei die Schicht eine zweite Verbindung aus einer binären, ternären oder quaternären Verbindung von Elementen der III. und V. Hauptgruppe enthält und aus einem Molekularstrahl abgeschieden wird. Weiterhin betrifft die Erfindung Halbleiterbauelemente, welche mit dem genannten Verfahren erhältlich sind.
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