太阳能电池元件

摘要

本发明揭示一太阳能电池元件，其包含一基板、一金属层、一高阻值膜层、一p型半导体层、一n型半导体层及一透明导电层。该金属层可包含钼金属，且形成于该基板的表面，作为电池的背接触金属层(Back contact metal layer)。该高阻值膜层(例如V2O5)形成于该金属层表面。该p型半导体层形成于该高阻值膜层的表面，可包含铜铟镓硒(CIGS)或铜铟镓硒(CIS)的合金材料。该n型半导体层(例如CdS)形成于该p型半导体层的表面，且与该p型半导体层形成p-n结。透明导电层形成于该n型半导体层的表面。本发明的高阻值膜层可制作的相当薄，即可达到防止电池的正负极发生短路，且工艺简单、迅速，可增加生产效率。

主权项

一种太阳能电池元件，包含：一基板；一金属层，形成于该基板的表面；一高阻值膜层，形成于该金属层的表面；一p型半导体层，形成于该高阻值膜层的表面，包含铜铟镓硒硫、铜铟镓硒、铜铟硫、铜铟硒或包含铜、硒或硫二者或二者以上的化合物材料；一n型半导体层，形成于该p型半导体层的表面，且与该p型半导体层形成p-n结；以及一透明导电层，形成于该n型半导体层的表面。