多结砷化镓太阳电池

摘要

本发明涉及一种多结砷化镓太阳电池，它包括主要由GaInP构成的顶电池、主要由InGaAs构成的中电池和主要由Ge构成的底电池，在顶电池和中电池之间设有AlInP(p+)/AlGaAs(p++)-GaInP(n++)/AlInP(n+)或AlGaInP(p+)/AlGaAs(p++)-GaInP(n++)/AlInP(n+)隧穿结连接结构。本发明的多结砷化镓太阳电池由于采用了以上隧穿结连接结构，不仅能够显著减少入射光的反射，改善中电池的电流密度，还可以提高三结电池的转换效率。

主权项

一种多结砷化镓太阳电池，包括主要由GaInP构成的顶电池、主要由InGaAs构成的中电池和主要由Ge构成的底电池，在顶电池和中电池以及中电池与底电池之间分别设有隧穿结连接结构，其特征在于：所述的顶电池和中电池之间的隧穿结连接结构为AlInP(p+)/AlGaAs(p++)-GaInP(n++)/AlInP(n+)，其中AlInP(p+)为顶电池的背场，厚度为100nm～150nm；AlInP(n+)为中电池的背场，厚度为100nm～150nm；AlGaAs(p++)的厚度为10nm～15nm；GaInP(n++)的厚度为10nm～15nm。