| 摘要 |
Настоящее изобретение относится к области промышленного производства полупроводников. Настоящее изобретение предлагает способ химической обработки поверхности полупроводниковой подложки, включающий стадии: размещение полупроводниковой подложки (4) над химическим раствором (5) при помощи вала (2) и установку нижней поверхности полупроводниковой подложки (4) на определенном расстоянии от поверхности жидкости химического раствора (5) и подачу струёй химического раствора на нижнюю поверхность полупроводниковой подложки струйным аппаратом (3) для выполнения химической обработки нижней поверхности; и устройство для такой обработки, включающее химический резервуар (1), содержащий химический раствор, вал (2) для поддерживания полупроводниковой подложки (4) над химическим раствором, и струйный аппарат (3) для подачи химического раствора на нижнюю поверхность полупроводниковой подложки (4). Способ позволяет выполнить химическую обработку одной стороны полупроводниковой подложки без какой-либо защиты ее другой стороны. |
