高压工艺中器件隔离的方法

摘要

本发明公开了一种高压工艺中器件隔离的方法，在器件制备前，在整个硅衬底上进行无掩膜离子注入，而后进行器件常规工序的制备。本发明的方法，利用在硅衬底上的无掩膜离子注入增加在场区下的离子浓度，使器件之间隔离区域的浓度增加而增加隔离性能。

主权项

一种高压工艺中器件隔离的方法，其特征在于：在器件制备前，在整个硅衬底上进行离子注入，所述离子注入中的注入离子类型和两端的器件区域的注入离子的类型相反，注入的深度应大于隔离场区两端的器件区的注入深度，而后进行常规的工序。