用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法

摘要

本发明提供一种用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体基底内形成第一浅沟槽；在所述半导体基底上和所述第一浅沟槽内生长绝缘介质；对所述绝缘介质的表面进行研磨，使所述第一浅沟槽表面平坦化，并去除所述半导体基底上的所述绝缘介质；在所述第一浅沟槽内形成第二浅沟槽，所述第二浅沟槽位于所述半导体基底上的MOS电容区域；在所述第二浅沟槽侧壁和底部生长衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上生长多晶硅层。本发明提供的浅沟槽作为MOS电容的基底，有效的增加了MOS电容的表面积，从而使得MOS电容的存储能力得到大幅度的提高。

主权项

用于MOS电容的浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：S1：在半导体基底内形成第一浅沟槽；S2：在所述半导体基底上和所述第一浅沟槽内生长绝缘介质；S3：对所述绝缘介质的表面进行研磨，使所述第一浅沟槽表面平坦化，并去除所述半导体基底上的所述绝缘介质；S4：在所述第一浅沟槽内形成第二浅沟槽；S5：在所述第二浅沟槽侧壁和底部生长衬垫氧化层；S6：在所述第二衬垫氧化层上生长多晶硅层。