| 发明名称 | 沟槽的填充方法及浅沟槽隔离的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种沟槽的填充方法，包括：提供具有沟槽的半导体结构；执行第一阶段化学气相沉积，在所述半导体结构及沟槽表面形成第一膜层，所述第一膜层的厚度小于所述沟槽的深度；对所述第一膜层执行氧气等离子体处理；执行第二阶段化学气相沉积，在所述第一膜层上形成第二膜层，该第二膜层至少填满所述沟槽；对所述第二膜层执行氧气等离子体处理。本发明还提供一种浅沟槽隔离的制造方法。本发明在对沟槽填充时不会产生或产生较少的SRO颗粒缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101359596B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200710044560.7 | 申请日期 | 2007.07.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张文广;刘明源 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种沟槽的填充方法，其特征在于，包括：提供具有沟槽的半导体结构；执行第一阶段化学气相沉积，在所述半导体结构及沟槽表面形成第一膜层，所述第一膜层的厚度小于所述沟槽的深度；所述第一阶段化学气相沉积包括多步高密度等离子体化学气相沉积和至少一步氧气等离子体处理，其中，高密度等离子体化学气相沉积和氧气等离子体处理交替进行；对所述第一膜层执行氧气等离子体处理；执行第二阶段化学气相沉积，在所述第一膜层上形成第二膜层，该第二膜层至少填满所述沟槽；对所述第二膜层执行氧气等离子体处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||