发明名称 |
在表面上制备精细导电结构的方法 |
摘要 |
本发明涉及可在表面上制备小的和极小的导电结构的方法。其通过如下方式实现:(热)冲压和/或纳米级压印制备微通道,接着借助于毛细管力将导电材料有针对性地引入如此形成的通道中,以及对导电材料进行合适的后处理。 |
申请公布号 |
CN101755493A |
申请公布日期 |
2010.06.23 |
申请号 |
CN200880025345.5 |
申请日期 |
2008.07.08 |
申请人 |
拜尔材料科学股份公司 |
发明人 |
S·巴恩米勒;S·艾登;S·M·迈耶;C·E·亨德里克斯;U·舒伯特 |
分类号 |
H05K3/12(2006.01)I;H05K3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H05K3/12(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
石克虎;李连涛 |
主权项 |
用于在具有可造型表面的特别是光学透明的基材上制备在两个维度上尺寸均不大于25μm的导电结构的方法,在该方法中ii)通过机械作用和任选附加的热作用在基材表面上形成通道,iii)在所述通道上施加可由其产生导电结构的墨,iv)通过毛细管力用墨充填该通道,v)通过引入能量使该墨转变成导电结构。 |
地址 |
德国莱沃库森 |